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Large-area single-crystal AB-bilayer and ABA-trilayer graphene grown on a Cu/Ni(111) foil
Nature nanotechnology, 2020-04, Vol.15 (4), p.289-295
2020
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Lateral MoS2 p–n Junction Formed by Chemical Doping for Use in High-Performance Optoelectronics
ACS nano, 2014-09, Vol.8 (9), p.9332-9340
2014
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Open Access
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Ultimate thin vertical p-n junction composed of two-dimensional layered molybdenum disulfide
Nature communications, 2015-03, Vol.6 (1), p.6564-6564, Article 6564
2015
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P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS2 Transistor
Advanced materials (Weinheim), 2016-03, Vol.28 (12), p.2345-2351
2016
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Modulation of Quantum Tunneling via a Vertical Two-Dimensional Black Phosphorus and Molybdenum Disulfide p–n Junction
ACS nano, 2017-09, Vol.11 (9), p.9143-9150
2017
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Carrier‐Type Modulation and Mobility Improvement of Thin MoTe2
Advanced materials (Weinheim), 2017-10, Vol.29 (39), p.n/a
2017
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High performance WSe2 p-MOSFET with intrinsic n-channel based on back-to-back p–n junctions
Applied physics letters, 2021-06, Vol.118 (23)
2021
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Self-Terminated Surface Monolayer Oxidation Induced Robust Degenerate Doping in MoTe2 for Low Contact Resistance
ACS applied materials & interfaces, 2020-06, Vol.12 (23), p.26586-26592
2020
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Highly Oriented Monolayer Graphene Grown on a Cu/Ni(111) Alloy Foil
ACS nano, 2018-06, Vol.12 (6), p.6117-6127
2018
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  • BibTeX
Charge Density Depinning in Defective MoTe2 Transistor by Oxygen Intercalation
Advanced functional materials, 2020-12, Vol.30 (50), p.n/a
2020
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Open Access
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Metal-semiconductor barrier modulation for high photoresponse in transition metal dichalcogenide field effect transistors
Scientific reports, 2014-02, Vol.4 (1), p.4041-4041, Article 4041
2014
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Homogeneous molybdenum disulfide tunnel diode formed via chemical doping
Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (18)
2018
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Ambipolar MoS2 Field‐Effect Transistor by Spatially Controlled Chemical Doping
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2019-09, Vol.13 (9), p.n/a
2019
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Controlled Folding of Single Crystal Graphene
Nano letters, 2017-03, Vol.17 (3), p.1467-1473
2017
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Open Access
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High Electric Field Carrier Transport and Power Dissipation in Multilayer Black Phosphorus Field Effect Transistor with Dielectric Engineering
Advanced functional materials, 2017-01, Vol.27 (4), p.np-n/a
2017
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Charge Density Depinning in Defective MoTe 2 Transistor by Oxygen Intercalation
Advanced functional materials, 2020-12, Vol.30 (50)
2020
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  • BibTeX
Self-screened high performance multi-layer MoS₂ transistor formed by using a bottom graphene electrode
Nanoscale, 2015-12, Vol.7 (45), p.19273-19281
2015
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Self-Terminated Surface Monolayer Oxidation Induced Robust Degenerate Doping in MoTe 2 for Low Contact Resistance
ACS applied materials & interfaces, 2020-06, Vol.12 (23), p.26586-26592
2020
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  • BibTeX
Ambipolar MoS 2 Field‐Effect Transistor by Spatially Controlled Chemical Doping
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2019-09, Vol.13 (9)
2019
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  • BibTeX
Effects of plasma treatment on surface properties of ultrathin layered MoS2
2d materials, 2016-07, Vol.3 (3)
2016
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P-Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS sub(2) Transistor
Advanced materials (Weinheim), 2016-03, Vol.28 (12), p.2345-2351
2016
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P‐Type Polar Transition of Chemically Doped Multilayer MoS 2 Transistor
Advanced materials (Weinheim), 2016-03, Vol.28 (12), p.2345-2351
2016
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  • BibTeX
Carrier-Type Modulation and Mobility Improvement of Thin MoTe 2
Advanced materials (Weinheim), 2017-10, Vol.29 (39)
2017
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  • BibTeX
Self-screened high performance multi-layer MoS2 transistor formed by using a bottom graphene electrodeElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c5nr06076a
2015-11
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Self-screened high performance multi-layer MoS sub(2) transistor formed by using a bottom graphene electrode
Nanoscale, 2015-11, Vol.7 (45), p.19273-19281
2015
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