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Status of LWIR HgCdTe-on-Silicon FPA Technology
Journal of electronic materials, 2008-09, Vol.37 (9), p.1184-1188
2008
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Enhanced arsenic diffusion and activation in HgCdTe
Journal of electronic materials, 1995-05, Vol.24 (5), p.609-615
1995
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Current generation mechanisms in small band gap HgCdTe p-n junctions fabricated by ion implantation
Journal of crystal growth, 1988-01, Vol.86 (1-4), p.849-858
1988
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Gamma ray detectors with HgCdTe contact layers
Applied physics letters, 1985-02, Vol.46 (3), p.274-276
1985
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High performance epitaxial HgCdTe photodiodes for 2.7 µm applications
IEEE electron device letters, 1981-07, Vol.2 (7), p.177-179
1981
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High-speed Pb1− x Sn x Te photodiodes
Applied physics letters, 1972-09, Vol.21 (6), p.285-287
1972
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VI-7 backslide-illuminated InAs 1-x Sb x -InAs narrow band detectors
IEEE transactions on electron devices, 1976-11, Vol.23 (11), p.1264-1264
1976
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VI-7 backslide-illuminated InAs1-xSbx-InAs narrow band detectors
IEEE transactions on electron devices, 1976-11, Vol.23 (11), p.1264-1264
1976
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