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Freeze-out characterization of radiation hardened N/sup +/ polysilicon gate CMOS transistors
IEEE transactions on nuclear science, 1991-12, Vol.38 (6), p.1289-1296
1991
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Freeze-out characterization of radiation hardened N+polysilicon gate CMOS transistors
IEEE Transactions on Nuclear Science (Institute of Electrical and Electronics Engineers); (United States), 1991-12, Vol.38 (6), p.1289-1296
1991
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