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2009
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IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1020
2008
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Japanese Journal of Applied Physics, 2009-04, Vol.48 (4S), p.4
2009
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IEEE transactions on electron devices, 2009-08, Vol.56 (8), p.1624-1630
2009
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Japanese Journal of Applied Physics, 2008-04, Vol.47 (4S), p.2692
2008
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IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1020-1026
2008
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IEEE transactions on electron devices, 2009-08, Vol.56 (8), p.1624-1630
2009
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Modeling of V Shift in nand Flash-Memory Cell Device Considering Crosstalk and Short-Channel Effects
2008
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Japanese Journal of Applied Physics, 2008-01, Vol.47 (1R), p.80
2008
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2008 Joint Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop and International Conference on Memory Technology and Design, 2008, p.8-11
2008
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2007 22nd IEEE Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, 2007, p.83-84
2007
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The hbox 1 / f Noise and Random Telegraph Noise Characteristics in Floating-Gate nand Flash Memories
2009
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2008 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008, p.1-2
2008
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2009 IEEE International Memory Workshop, 2009, p.1-2
2009
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IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1020-1026
2008
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Journal of the Korean Physical Society, 2004, 44(1), , pp.93-96
2004
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Japanese Journal of Applied Physics, 2006-09, Vol.45 (9R), p.6841
2006
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Proceedings International Conference on Microelectronic Test Structures, 1995, p.177-180
1995
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Physical review letters, 2011-08, Vol.107 (6), Article 067201
2011
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The journal of the Korean Orthopaedic Association, 2016, Vol.51 (6), p.464
2016
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