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Anisotropic He-ion irradiation damages in nanocolumnar W thin films
Extreme Mechanics Letters, 2020-11, Vol.41, p.100984, Article 100984
2020
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N2O plasma treatment effect on reliability of p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs
Applied physics letters, 2022-03, Vol.120 (13)
2022
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Impact of Channel Hot Electrons on Current Collapse in AlGaN/GaN HEMTs
IEEE electron device letters, 2013-12, Vol.34 (12), p.1494-1496
2013
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Extraction of Dynamic Threshold Voltage in Resistive Load Hard Switching Operation of Schottky-Type p-GaN Gate HEMT
IEEE electron device letters, 2022-10, Vol.43 (10), p.1720-1723
2022
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p-GaN Gate HEMTs With Tungsten Gate Metal for High Threshold Voltage and Low Gate Current
IEEE electron device letters, 2013-02, Vol.34 (2), p.202-204
2013
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Source-Connected p-GaN Gate HEMTs for Increased Threshold Voltage
IEEE electron device letters, 2013-05, Vol.34 (5), p.605-607
2013
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Estimation of Short Circuit Capability of GaN HEMTs Using Transient Measurement
IEEE electron device letters, 2021-08, Vol.42 (8), p.1208-1211
2021
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Transient Measurement of GaN HEMT Drift Region Potential in the High Power State
IEEE electron device letters, 2021-04, Vol.42 (4), p.557-560
2021
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A Fully Transparent, Stretchable Multi‐Layered Water Barrier Thin Film for the Passivation of Underwater Device Applications
Advanced materials interfaces, 2022-09, Vol.9 (27), p.n/a
2022
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Open Access
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Water‐Stable and Photo‐Patternable Siloxane‐Encapsulated Upconversion Nanoparticles toward Flexible Near‐Infrared Phototransistors
Advanced optical materials, 2023-06, Vol.11 (12), p.n/a
2023
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High threshold voltage p-GaN gate power devices on 200 mm Si
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2013, p.315-318
2013
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Impacts of fluorine on GaN high electron mobility transistors: Theoretical study
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2010-11, Vol.4 (11), p.332-334
2010
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1.6kV, 2.9 mΩ cm2 normally-off p-GaN HEMT device
2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2012, p.41-44
2012
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An 8MHz 31.25kS/s Impedance-Monitoring IC Based on IF-Sampling Architecture with a Band-Pass Delta-Sigma ADC
2021 Symposium on VLSI Circuits, 2021, p.1-2
2021
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Characterization of traps and trap-related effects in recessed-gate normally-off AlGaN/GaN-based MOSHEMT
2012 International Electron Devices Meeting, 2012, p.13.2.1-13.2.4
2012
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A new switching architecture for MRAM: local field switching
INTERMAG Asia 2005. Digests of the IEEE International Magnetics Conference, 2005, 2005, p.845-846
2005
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