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Critical layer thickness of GaIn(N)As(Sb) QWs on GaAs and InP substrates for (001) and (111) orientations
The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2009-05, Vol.69 (2), p.211-218
2009
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A theoretical comparison of the 1.3 μm doped InxGa1-xNyAs1-y/GaAs quantum well lasers for different x/y concentrations
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2005-03, Vol.27 (1-2), p.253-261
2005
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A theoretical comparison of the 1.3 μm doped In x Ga 1− x N y As 1− y /GaAs quantum well lasers for different x/ y concentrations
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2005, Vol.27 (1), p.253-261
2005
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A theoretical comparison of the pressure dependence of the threshold current of phosphorus-, aluminium- and nitrogen-based 1.3 μm lasers
Semiconductor science and technology, 2004, Vol.19 (1), p.23-32
2004
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A theoretical comparison of the pressure dependence of the threshold current of phosphorus-, aluminium- and nitrogen-based 1.3 µm lasers
Semiconductor science and technology, 2004-01, Vol.19 (1), p.23-32
2004
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Influence of doping on gain characteristics of GaInNAs/GaAs quantum well lasers
Semiconductor science and technology, 2003-02, Vol.18 (2), p.163-169
2003
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Critical layer thickness of Galn(N)As(Sb) QWs on GaAs and InP substrates for (001) and (111) orientations
The European physical journal. B, Condensed matter physics, 2009, Vol.69 (2), p.211-218
2009
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Comparative study of the band-offset ratio of conventionally strained and strain-compensated InGaAs/GaAs QW lasers
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2004-09, Vol.24 (3-4), p.183-186
2004
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Influence of recasting different types of dental alloys on gingival fibroblast cytotoxicity
The Journal of prosthetic dentistry, 2012, Vol.107 (1), p.24-33
2012
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