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High frequency characteristics of tin oxide thin films on Si
Vacuum, 2008-06, Vol.82 (11), p.1183-1186
2008
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Investigation of diode parameters using I– V and C– V characteristics of In/SiO 2/p-Si (MIS) Schottky diodes
Physica. B, Condensed matter, 2008, Vol.403 (17), p.2690-2697
2008
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Investigation of diode parameters using I-V and C-V characteristics of In/SiO2/p-Si (MIS) Schottky diodes
Physica. B, Condensed matter, 2008-08, Vol.403 (17), p.2690-2697
2008
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