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IEEE transactions on electron devices, 2009-08, Vol.56 (8), p.1624
2009
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IEEE transactions on electron devices, 2009-08, Vol.56 (8), p.1624-1630
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Japanese Journal of Applied Physics, 2008-04, Vol.47 (4S), p.2692
2008
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IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1020-1026
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Modeling of V Shift in nand Flash-Memory Cell Device Considering Crosstalk and Short-Channel Effects
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The hbox 1 / f Noise and Random Telegraph Noise Characteristics in Floating-Gate nand Flash Memories
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2008 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008, p.1-2
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2009 IEEE International Memory Workshop, 2009, p.1-2
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IEEE transactions on electron devices, 2008-04, Vol.55 (4), p.1020-1026
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Proceedings International Conference on Microelectronic Test Structures, 1995, p.177-180
1995
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Physical review letters, 2011-08, Vol.107 (6), Article 067201
2011
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Biochip journal, 2010-06, Vol.4 (2), p.155-160
2010
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