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AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
Applied physics letters, 2012-08, Vol.101 (8), p.82110
2012
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Investigation of Self-Heating Effect on DC and RF Performances in AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2019, Vol.7, p.1264-1269
2019
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Effect of OFF-state stress induced electric field on trapping in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si (111)
Applied physics letters, 2015-02, Vol.106 (8)
2015
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AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si with sputtered TiN gate
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2017-03, Vol.214 (3), p.np-n/a
2017
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A randomized controlled trial of vitamin D3 supplementation for the prevention of symptomatic upper respiratory tract infections
Epidemiology and infection, 2009-10, Vol.137 (10), p.1396-1404
2009
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Mechanism of Increased High-Frequency Channel Noise With PECVD SiN Passivation in AlGaN/GaN HEMTs
IEEE electron device letters, 2009-11, Vol.30 (11), p.1122-1124
2009
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Atomic layer deposition of ZrO2 as gate dielectrics for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors on silicon
Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (14)
2013
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Temperature dependence of Ohmic contact characteristics in AlGaN/GaN high electron mobility transistors from −50 to 200 ° C
Applied physics letters, 2009-04, Vol.94 (14), p.142105-142105-3
2009
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Temperature-dependent forward gate current transport in atomic-layer-deposited Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistor
Applied physics letters, 2011-04, Vol.98 (16)
2011
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Improved Microwave Noise Performance by SiN Passivation in AlGaN/GaN HEMTs on Si
IEEE microwave and wireless components letters, 2009-06, Vol.19 (6), p.383-385
2009
Open Access
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Non-linear thermal resistance model for the simulation of high power GaN-based devices
Semiconductor science and technology, 2021-05, Vol.36 (5), p.55002
2021
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Improved interface state density by low temperature epitaxy grown AlN for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor diodes
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2020-12, Vol.262, p.114707, Article 114707
2020
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Growth and characterization of AlGaN/GaN/AlGaN double-heterojunction high-electron-mobility transistors on 100-mm Si(111) using ammonia-molecular beam epitaxy
Journal of applied physics, 2015-01, Vol.117 (2)
2015
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  • BibTeX
High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2011-01, Vol.5 (1), p.37-39
2011
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  • BibTeX
High-Frequency Microwave Noise Characteristics of InAlN/GaN High-Electron Mobility Transistors on Si (111) Substrate
IEEE electron device letters, 2014-10, Vol.35 (10), p.992-994
2014
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Effect of gate-source and gate-drain Si3N4 passivation on current collapse in AlGaN∕GaN high-electron-mobility transistors on silicon
Applied physics letters, 2007-04, Vol.90 (17)
2007
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  • BibTeX
Enhanced Breakdown Voltage With High Johnson's Figure-of-Merit in 0.3-μm T-gate AlGaN/GaN HEMTs on Silicon by (NH4)2Sx Treatment
IEEE electron device letters, 2013, Vol.34 (11), p.1364-1366
2013
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A silicon-nanowire memory driven by optical gradient force induced bistability
Applied physics letters, 2015-12, Vol.107 (26)
2015
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  • BibTeX
GaN drift-layer thickness effects in vertical Schottky barrier diodes on free-standing HVPE GaN substrates
AIP advances, 2019-04, Vol.9 (4), p.045007-045007-5
2019
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  • BibTeX
Study on GaN buffer leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures grown by ammonia-molecular beam epitaxy on 100-mm Si(111)
Journal of applied physics, 2015-06, Vol.117 (24)
2015
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Reduction of current collapse in AlGaN/GaN MISHEMT with bilayer SiN/Al2O3 dielectric gate stack
Physica status solidi. C, 2013-11, Vol.10 (11), p.1421-1425
2013
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  • BibTeX
Introduction to the special section on the Fifth IEEE International Nanoelectronics Conference (IEEE INEC)
IEEE transactions on nanotechnology, 2014-05, Vol.13 (3), p.407-408
2014
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Enhancement of both direct-current and microwave characteristics of AlGaN∕GaN high-electron-mobility transistors by furnace annealing
Applied physics letters, 2006-01, Vol.88 (2)
2006
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Study of current collapse by quiescent-bias-stresses in rf-plasma assisted MBE grown AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
Solid-state electronics, 2010-11, Vol.54 (11), p.1430-1433
2010
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  • BibTeX
Electron velocity of 6 × 107 cm/s at 300 K in stress engineered InAlN/GaN nano-channel high-electron-mobility transistors
Applied physics letters, 2015-02, Vol.106 (5)
2015
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