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Accuracy of linear transformations performed on a nonideal Mach–Zehnder interferometer
Optics communications, 2024-09, Vol.566, p.130686, Article 130686
2024
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Structural peculiarities of Ge-rich Ga-Ge-Sb-Se chalcogenide glasses
Journal of solid state chemistry, 2021-11, Vol.303, p.122454, Article 122454
2021
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Deposition of Fe-doped CdS films by spray pyrolysis from various precursors
Physica. B, Condensed matter, 2024-09, Vol.688, p.416140, Article 416140
2024
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The new tellurium compounds: Na1.5Te2Mo0.5O6.25 and K6(Te94+Te6+)Mo6O42
Journal of solid state chemistry, 2019-09, Vol.277, p.337-345
2019
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Growth defects in GeSn/Ge/Si(001) epitaxial layers grown by hot wire chemical vapor deposition of Ge with co-evaporation of Sn
Journal of crystal growth, 2022-01, Vol.578, p.126421, Article 126421
2022
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Special pure Pr(3+) doped Ga3Ge31As18Se48 glass for active mid-IR optics
Journal of luminescence, 2019-05, Vol.209, p.225-231
2019
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Preparation of Ge–S–I and Ge–Sb–S–I glasses by plasma-enhanced chemical vapor deposition
Journal of non-crystalline solids, 2015-09, Vol.423-424, p.76-80
2015
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Phase-microstructure of Mo/Si nanoscale multilayer and intermetallic compound formation in interfaces
Intermetallics, 2020-10, Vol.125, p.106872, Article 106872
2020
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Effect of Ge-rich Ga-Ge-Sb-Se glass composition on the optical and thermal properties
Optical materials, 2020-06, Vol.104, p.109943, Article 109943
2020
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Preparation of Silicon Thin Films of Different Phase Composition from Monochlorosilane as a Precursor by RF Capacitive Plasma Discharge
Plasma chemistry and plasma processing, 2016-05, Vol.36 (3), p.849-856
2016
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The growth rates of KDP crystals in solutions with potassium permanganate additives
Journal of crystal growth, 2017-01, Vol.457, p.2-5
2017
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Characterization of the cleaved edge cross section of the heterostructures with GaMnAs layer by the confocal micro-Raman spectroscopy
Micron (Oxford, England : 1993), 2017-02, Vol.93, p.38-42
2017
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Influence of the deposition and annealing temperatures on the luminescence of Germanium nanocrystals formed in Ge[O.sub.x] films and multilayer Ge/Si[O.sub.2] structures
Physics of the solid state, 2017-05, Vol.59 (5), p.992
2017
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PECVD synthesis of As–S glasses
Russian journal of applied chemistry, 2016-02, Vol.89 (2), p.179-184
2016
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Cleaved-edge photoluminescence spectroscopy of multilayer heterostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2017-11, Vol.51 (11), p.1456-1459
2017
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Study of the structures of cleaved cross sections by Raman spectroscopy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-11, Vol.50 (11), p.1539-1542
2016
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Conditions of growth of high-quality relaxed [Si.sub.1 - x][Ge.sub.x] layers with a high Ge content by the vapor-phase decomposition of monogermane on a sublimating Si hot wire
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-09, Vol.50 (9), p.1248
2016
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Open Access
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Influence of the preparation technique on the optical properties and content of heterophase inclusions of AS_2S_3 chalcogenide glasses
Optical materials express, 2016-11, Vol.6 (11), p.3507
2016
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Structure and optical properties of the silver/polyacrylonitrile nanocomposites
Technical physics, 2016-11, Vol.61 (11), p.1684-1688
2016
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Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-02, Vol.50 (2), p.271-275
2016
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Thermophysical properties of Ca2GeO4 over the temperature range between (6 and 350)K
The Journal of chemical thermodynamics, 2014-11, Vol.78, p.58-68
2014
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Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and Si[O.sub.2]
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-04, Vol.47 (4), p.481
2013
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Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and [Si.sub.1-x] [Ge.sub.x] alloy layers: production and some properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2016-03, p.345
2016
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Annealing-induced evolution of optical properties of the multilayered nanoperiodic Si[O.sub.x]/Zr[O.sub.2] system containing Si nanoclusters
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-06, Vol.45 (6), p.731
2011
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The morphology, electron structure, and optical properties of self-assembled silicon nanostructures on the surface of highly oriented pyrolytic graphite
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-01, Vol.45 (1), p.56-60
2011
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