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Nanocomposite structures grown by inserting ionic salt RbNO3 into van der Waals gaps of III–VI compound layered semiconductors
Solid state ionics, 2015-05, Vol.273, p.59-65
2015
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Electrical Properties of Cd Doped InSe Crystals
Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online), 2019-05, Vol.19 (2), p.159-162
2019
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Relaxation Polarization in Hydrogenated GaSe Layered Crystals
Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online), 2018-01, Vol.18 (1), p.49-51
2018
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Morphology, chemical composition, and electrical characteristics of hybrid surface
Physics of the solid state, 2014-10, Vol.56 (10), p.2118
2014
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The Effect of the Thermal Introduction of NaNO2 on the Optical Properties of Indium and Gallium Monoselenides
Fìzika ì hìmìâ tverdogo tìla (Online), 2017-09, Vol.17 (4), p.544-547
2017
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Influence of optical illumination on the electric impedance of composite nanostructures based on p-GaSe layered semiconductor with 3D nanodimensional inclusions of KN[O.sub.3] ferroelectric
Russian physics journal, 2014-09, Vol.57 (5), p.642
2014
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Electrical and photoelectric properties of n-CdO-p-InSe anisotype heterojunctions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-07, Vol.47 (7), p.943-946
2013
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Fabrication and Characterization of Photosensitive n-CdO/p-InSe Heterojunctions
Acta physica Polonica, A, 2013-10, Vol.124 (4), p.720-723
2013
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Surface morphology and electrical properties of Au/Ni/C/n-[Ga.sub.2][O.sub.3]/p-GaSeKN[O.sub.3] hybrid structures fabricated on the basis of a layered semiconductor with nanoscale ferroelectric inclusions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2012-03, Vol.46 (3), p.342
2012
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Carrier transport in layered semiconductor composite nanostructures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-03, Vol.45 (3), p.338
2011
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Electrical properties of hybrid (ferromagnetic metal)—(layered semiconductor) Ni/p–GaSe structures
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-02, Vol.44 (2), p.171-183
2010
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The Influence of Hydrogen on the Electrical and Photoelectric Properties of Photodiodes Based on Indium Monoselenide
MRS proceedings, 2005, Vol.884, Article GG3.7
2005
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Barrier formation in a heterostructure formed of native oxide and p-InSe. Electrical and photoelectrical properties
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-02, Vol.37 (2), p.187-193
2003
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A Heterocontact in the Semiconductor–Mumie System
Technical physics letters, 2005, Vol.31 (9), p.772
2005
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Oxide-p-InSe heterojunctions on (110)-oriented InSe crystal substrates
Technical physics letters, 2001-05, Vol.27 (5), p.424-426
2001
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