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Defect Control in As-Rich GaAs
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.951-956
1997
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Local Vibrational Modes of Weakly Bound O-H Complexes in SI
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.391-398
1997
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The Oxygen Dimer in Silicon: Some Experimental Observations
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.361-366
1997
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Photoluminescence Dynamics in the Near Bandgap Region of Homoepitaxial GaN Layers
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1125-1130
1997
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Palladium-Hydrogen Related Complexes in Silicon
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.307-312
1997
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Spectroscopy of Nitrogen-Related Centers in Gallium Arsenide
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.867-872
1997
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DLTS combined with perturbed angular correlation (PAC) on radioactive In-111 atoms in Ge
Materials science forum, 1997-01, p.53-58
1997
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Ge Content Dependence of the Infrared Spectrum of Interstitial Oxygen in Crystalline Si-Ge
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.103-108
1997
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Impact of Radiation-Induced Defects on the Yellow Luminescence Band in MOCVD GaN
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1143-1148
1997
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Fine Structure of the Boron Bound Exciton in Diamond
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.757-762
1997
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Valence Controls and Codoping for Low-Resistivity n-Type Diamond by Ab Initio Molecular-Dynamics Simulation
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.799-804
1997
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On the Origin of the Yellow Donor-Acceptor Pair Emission in GaN
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1149-1154
1997
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Vacancy-Type Defects in Proton-Irradiated SiC
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.733-738
1997
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Defect Clusters in Silicon: Impact on the Performance of Large-Area Devices
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.527-534
1997
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EXAFS Measurement on Local Structure Around Erbium Atoms Doped in GaAs with Oxygen Co-Doping
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1571-1576
1997
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Effects of Hydrogen Plasma on Dislocation Motion in Silicon
Materials science forum, 1997-12, Vol.258-263, p.313-318
1997
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The Micro Structure of the EL2 Defect in GaAs - A Different Look to Former Spin Resonance Data
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.987-992
1997
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A Codoping Method in GaN Proposed by Ab Initio Electronic-Structure Calculations
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1185-1190
1997
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Formation and Structure of Hydrogen Molecules in Crystalline Si
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.241-246
1997
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Determination of Stoichiometry and Oxygen Content in Platelike and Octahedral Oxygen Precipitates in Silicon with FT-IR Spectroscopy
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.405-410
1997
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Implantation Doping and Hydrogen Passivation of GaN
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1099-1104
1997
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High-Field EPR Spectroscopy of Thermal Donors in Silicon
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.373-378
1997
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Photoluminescence Vibrational Spectroscopy of Defects Containing the Light Impurities Carbon and Oxygen in Silicon
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.617-622
1997
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Identification of Iron Transition Group Trace Impurities in GaN Bulk Crystals by Electron Paramagnetic Resonance
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.1167-1172
1997
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Electrically Active Silver-Hydrogen Complexes in Silicon
Materials science forum, 1997-01, Vol.258-263, p.301-306
1997
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