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Two-Dimensional MoSi2N4: An Excellent 2-D Semiconductor for Field-Effect Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2022-01, Vol.69 (1), p.406-413
2022
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A Physics-Based Compact Model for Silicon Cold-Source Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2023-04, Vol.70 (4), p.1580-1588
2023
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Performance Investigation of p-FETs Based on Highly Air-Stable Monolayer Pentagonal PdSe2
IEEE transactions on electron devices, 2021-12, Vol.68 (12), p.6551-6557
2021
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Di-Metal Chalcogenides: A New Family of Promising 2-D Semiconductors for High-Performance Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.2445-2452
2023
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Symmetric BSIM-SOI-Part II: A Compact Model for Partially Depleted SOI MOSFETs
IEEE transactions on electron devices, 2024-04, Vol.71 (4), p.2293-2300
2024
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Open Access
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Two-dimensional semiconductors based field-effect transistors: review of major milestones and challenges
Frontiers in electronics (Online), 2023-11, Vol.4
2023
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Compact Modeling of Multi-Layered MoS2 FETs Including Negative Capacitance Effect
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2020, Vol.8, p.1177-1183
2020
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Performance Investigation of p-FETs Based on Highly Air-Stable Monolayer Pentagonal PdSe 2
IEEE transactions on electron devices, 2021-12, Vol.68 (12), p.6551-6557
2021
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Performance Evaluation of Monolayer ZrS 3 Transistors for Next-Generation Computing
IEEE transactions on electron devices, 2023-10, Vol.70 (10), p.5435-5442
2023
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Performance Evaluation of Monolayer ZrS \text Transistors for Next-Generation Computing
IEEE transactions on electron devices, 2023-08, p.1-8
2023
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Field-Effect Transistors Based on Two-dimensional Materials (Invited)
Transactions of the Indian National Academy of Engineering (Online), 2023-03, Vol.8 (1), p.1-14
2023
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Two-Dimensional MoSi 2 N 4 : An Excellent 2-D Semiconductor for Field-Effect Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2022-01, Vol.69 (1), p.406-413
2022
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Designing Power-Efficient Transistors Using Narrow-Bandwidth Materials from the M A 2 Z 4 ( M = Mo, Cr, Zr, Ti, Hf ; A = Si, Ge ; Z = N, P, As ) Monolayer Series
Physical review applied, 2023-06, Vol.19 (6), Article 064058
2023
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Hybrid FETs Based on Monolayer ZrI2 for Energy-Efficient Logic Applications
2024 Device Research Conference (DRC), 2024, p.1-2
2024
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Review on Traditional uses, Biological activities, Phytoconstituents of Bombax ceiba Linn
Research journal of pharmacy and technology, 2020-11, Vol.13 (11), p.5607-5612
2020
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  • BibTeX
Compact Modeling of Multi-Layered MoS 2 FETs Including Negative Capacitance Effect
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2020, Vol.8, p.1177-1183
2020
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Extremely Scaled Silicon Nanosheet Transistors
2022 IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE), 2022, p.1-5
2022
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Introduction to Flavonoids
Flavonoids As Nutraceuticals, 2024, p.19-35
1, 2024
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Compact Modeling of Surface Potential and Drain Current in Multi-layered MoS2 FETs
2020 4th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2020, p.1-4
2020
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Open Access
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Special Vehicle Like Ambulance Recognition and Security System Using Mobility Accredit System
Revue d'Intelligence Artificielle, 2023-04, Vol.37 (2), p.509-515
2023
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A High Gain Expandable DC-DC Converter with PSO-based MPPT Tracking for Partial Shading Conditions
2023 IEEE 14th International Conference on Power Electronics and Drive Systems (PEDS), 2023, p.1-6
2023
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