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Gain mechanism and carrier transport in high responsivity AlGaN-based solar blind metal semiconductor metal photodetectors
Journal of applied physics, 2017-04, Vol.121 (16)
2017
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Optically excited artificial synapse based on α-In 2 Se 3 FETs on Ta 2 O 5
Semiconductor science and technology, 2023-09, Vol.38 (9), p.95008
2023
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Optically excited artificial synapse based on α-In2Se3 FETs on Ta2O5
Semiconductor science and technology, 2023-09, Vol.38 (9)
2023
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An artificial synaptic transistor using an α-In 2 Se 3 van der Waals ferroelectric channel for pattern recognition
RSC advances, 2021-11, Vol.11 (58), p.36901-36912
2021
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In2Se3 Visible/Near-IR Photodetector With Observation of Band-Edge in Spectral Response
IEEE photonics technology letters, 2019-06, Vol.31 (11), p.905-908
2019
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An artificial synaptic transistor using an α-In2Se3 van der Waals ferroelectric channel for pattern recognition
RSC advances, 2021-11, Vol.11 (58), p.36901-36912
2021
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High Responsivity and Photovoltaic Effect Based on Vertical Transport in Multilayer α‐In2Se3
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-03, Vol.217 (5), p.n/a
2020
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Artificial Synapse Based on Back‐Gated MoS 2 Field‐Effect Transistor with High‐ k Ta 2 O 5 Dielectrics
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-10, Vol.217 (19)
2020
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Artificial Synapse Based on Back‐Gated MoS 2 Field‐Effect Transistor with High‐ k Ta 2 O 5 Dielectrics
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-10, Vol.217 (19)
2020
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Artificial Synapse Based on Back‐Gated MoS2 Field‐Effect Transistor with High‐k Ta2O5 Dielectrics
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-10, Vol.217 (19), p.n/a
2020
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In 2 Se 3 Visible/Near-IR Photodetector With Observation of Band-Edge in Spectral Response
IEEE photonics technology letters, 2019-06, Vol.31 (11), p.905-908
2019
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High Responsivity and Photovoltaic Effect Based on Vertical Transport in Multilayer α‐In 2 Se 3
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-03, Vol.217 (5)
2020
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Artificial Synapse Based on Back‐Gated MoS2 Field‐Effect Transistor with High‐k Ta2O5 Dielectrics
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-10, Vol.217 (19), p.n/a
2020
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An artificial synaptic transistor using an α-InSe van der Waals ferroelectric channel for pattern recognition
RSC advances, 2021-11, Vol.11 (58), p.3691-36912
2021
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Ultra-high responsivity and photovoltaic effect based on vertical transport in multi-layer \alpha -In2Se3
2019 Device Research Conference (DRC), 2019, p.189-190
2019
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Trap assisted avalanche instability and safe operating area concerns in AlGaN/GaN HEMTs
2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2017, p.WB-5.1-WB-5.5
2017
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