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Effect of radiation damage on the migration behaviour of europium implanted into polycrystalline SiC at RT, 350 °C and 600 °C
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2020-09, Vol.478, p.260-268
2020
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Effect of a silicon dioxide diffusion barrier layer and its sublimation on the migration of strontium implanted into SiC
Materials chemistry and physics, 2023-11, Vol.309, p.128441, Article 128441
2023
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Effect of SHI irradiation and high temperature annealing on the microstructure of SiC implanted with Ag
Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms, 2022-01, Vol.511, p.18-29
2022
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Migration behaviour of Europium implanted into single crystalline 6H-SiC
Vacuum, 2017-07, Vol.141, p.130-134
2017
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