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Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films: A Review of Recent Advances
JOM (1989), 2019-01, Vol.71 (1), p.246-255
2019
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Low-voltage operation and high endurance of 5-nm ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 capacitors
Applied physics letters, 2018-10, Vol.113 (18)
2018
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Large ferroelectric polarization of TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors due to stress-induced crystallization at low thermal budget
Applied physics letters, 2017-12, Vol.111 (24)
2017
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Improvement in ferroelectricity and breakdown voltage of over 20-nm-thick HfxZr1−xO2/ZrO2 bilayer by atomic layer deposition
Applied physics letters, 2020-12, Vol.117 (23)
2020
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Effect of film thickness on the ferroelectric and dielectric properties of low-temperature (400 °C) Hf0.5Zr0.5O2 films
Applied physics letters, 2018-04, Vol.112 (17)
2018
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Low-thermal-budget (300 °C) ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors realized using high-pressure annealing
Applied physics letters, 2021-12, Vol.119 (24)
2021
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Ferroelectric polarization retention with scaling of Hf0.5Zr0.5O2 on silicon
Applied physics letters, 2021-03, Vol.118 (10)
2021
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Effect of hydrogen derived from oxygen source on low-temperature ferroelectric TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN capacitors
Applied physics letters, 2019-10, Vol.115 (18)
2019
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Robust low-temperature (350 °C) ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 fabricated using anhydrous H2O2 as the ALD oxidant
Applied physics letters, 2022-11, Vol.121 (22)
2022
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Low velocity impact and axial loading response of hybrid fibre aluminium laminates
Journal of Mechanical Science and Technology, 2021, 35(11), , pp.4925-4930
2021
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Atomic Layer Deposition of Layered Boron Nitride for Large-Area 2D Electronics
ACS applied materials & interfaces, 2020-08, Vol.12 (32), p.36688-36694
2020
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Low‐Thermal‐Budget Fluorite‐Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2021-05, Vol.15 (5), p.n/a
2021
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A Comprehensive Study on the Effect of TiN Top and Bottom Electrodes on Atomic Layer Deposited Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films
Materials, 2020-07, Vol.13 (13), p.2968
2020
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Nano-polycrystalline Ag-doped ZnO layer for steep-slope threshold switching selectors
AIP advances, 2021-11, Vol.11 (11), p.115213-115213-6
2021
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Low Temperature Thermal Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Hydrazine as the Nitrogen Source
Materials, 2020-07, Vol.13 (15), p.3387
2020
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Correlation between ferroelectricity and ferroelectric orthorhombic phase of HfxZr1−xO2 thin films using synchrotron x-ray analysis
APL materials, 2021-03, Vol.9 (3), p.031111-031111-7
2021
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A Novel Combinatorial Approach to the Ferroelectric Properties in HfxZr1−xO2 Deposited by Atomic Layer Deposition
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2021-05, Vol.15 (5), p.n/a
2021
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Relaxation Induced by Imprint Phenomena in Low-Temperature (400 °C) Processed Hf0.5Zr0.5O2‑Based Metal-Ferroelectric-Metal Capacitors
ACS applied electronic materials, 2022-04, Vol.4 (4), p.1405-1414
2022
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Ferroelectric HfxZr1-xO2 for Next Generation Non-Volatile Memory Applications and Its Reliabilty
2021
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Stress-Induced Crystallization of Thin Hf 1- X Zr X O 2 Films: The Origin of Enhanced Energy Density with Minimized Energy Loss for Lead-Free Electrostatic Energy Storage Applications
ACS applied materials & interfaces, 2019-02, Vol.11 (5), p.5208-5214
2019
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Analysis of ferroelectric properties of ALD-Hf0.5Zr0.5O2 thin films according to oxygen sources
Solid-state electronics, 2024-06, Vol.216, p.108911, Article 108911
2024
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Highly Reliable Selection Behavior With Controlled Ag Doping of Nano-Polycrystalline ZnO Layer for 3D X-Point Framework
IEEE electron device letters, 2022-01, Vol.43 (1), p.21-24
2022
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Rapid Research Letters
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2021-05, Vol.15 (5)
2021
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Low‐Thermal‐Budget Fluorite‐Structure Ferroelectrics for Future Electronic Device Applications
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2021-05, Vol.15 (5), p.n/a
2021
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Rapid Research Letters
Physica status solidi. PSS-RRL. Rapid research letters, 2021-05, Vol.15 (5)
2021
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