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  • BibTeX
Design of a 4H-SiC RESURF n-LDMOS Transistor for High Voltage Integrated Circuits
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.629-632
2019
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  • BibTeX
Application-Oriented Unipolar Switching SiC Devices
Materials science forum, 2002-04, Vol.389-393, p.1185-1190
2002
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  • BibTeX
On the Origin of Charge Compensation in Aluminum-Implanted n-Type 4H-SiC by Analysis of Hall Effect Measurements
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.433-436
2019
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  • BibTeX
Analysis of Compensation Effects in Aluminum-Implanted 4H-SiC Devices
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.184-187
2018
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  • BibTeX
Optimization of Vertical Silicon Carbide Field Effect Transistors towards a Cost Attractive SiC Power Switch
Materials science forum, 2004-01, Vol.457-460, p.1201-1204
2004
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  • BibTeX
Static and Dynamic Characteristics of 4H-SiC JFETs Designed for Different Blocking Categories
Materials science forum, 2000-05, Vol.338-342, p.1243-1246
2000
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  • BibTeX
Conduction Loss Reduction for Bipolar Injection Field-Effect-Transistors (BIFET)
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.917-920
2016
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  • BibTeX
Temperature Dependent Characterization of Bipolar Injection Field-Effect-Transistors (BiFET) for Determining the Short-Circuit-Capability
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.806-809
2015
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  • BibTeX
SiC devices: physics and numerical simulation
IEEE transactions on electron devices, 1994-06, Vol.41 (6), p.1040-1054
1994
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  • BibTeX
Robust Double-Ring Junction Termination Extension Design for High Voltage Power Semiconductor Devices Based on 4H-SiC
Materials science forum, 2015-06, Vol.821-823, p.656-659
2015
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  • BibTeX
Comparative Study of n-LIGBT and n-LDMOS Structures on 4H-SiC
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.887-890
2013
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  • BibTeX
Bipolar SiC-Diodes – Challenges Arising from Physical and Technological Aspects
Materials science forum, 2007-01, Vol.556-557, p.889-894
2007
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  • BibTeX
An 1800 V triple implanted vertical 6H-SiC MOSFET
IEEE transactions on electron devices, 1999-03, Vol.46 (3), p.542-545
1999
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  • BibTeX
BIFET – a Novel Bipolar SiC Switch for High Voltage Power Electronics
Materials science forum, 2004-01, Vol.457-460, p.1245-1248
2004
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  • BibTeX
High-Voltage Modular Switch Based on SiC VJFETs - First Results for a Fast 4.5kV/1.2Ω Configuration
Materials science forum, 2003-09, Vol.433-436, p.793-796
2003
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  • BibTeX
Impact of Al-Ion Implantation on the Formation of Deep Defects in n-Type 4H-SiC
2018 22nd International Conference on Ion Implantation Technology (IIT), 2018, p.66-69
2018
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  • BibTeX
To Be ''Snappy'' or Not - a Comparison of the Transient Behaviours of Bipolar SiC-Diodes
Materials science forum, 2003, Vol.433-436, p.895-900
2003
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  • BibTeX
Rugged Power MOSFETs in 6H-SiC with Blocking Capability up to 1800V
Materials science forum, 2000-05, Vol.338-342, p.1295-1298
2000
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  • BibTeX
Influence of the Buried p-Layer on the Blocking behavior of Vertical JFETs in 4H-SiC
Materials science forum, 2001-01, Vol.353-356, p.695-698
2001
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  • BibTeX
SiC power devices with low on-resistance for fast switching applications
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094), 2000, p.213-216
2000
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Characterization of fast 4.5 kV SiC p-n diodes
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094), 2000, p.241-244
2000
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SiC-Powerdiodes: Design and performance
2007 European Conference on Power Electronics and Applications, 2007, p.1-10
2007
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