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Effects of lattice parameter manipulations on electronic and optical properties of BaSi2
Thin solid films, 2019-09, Vol.686, p.137436, Article 137436
2019
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Transport properties of n- and p-type polycrystalline BaSi2
Thin solid films, 2018-09, Vol.661, p.7-15
2018
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Quasi-2D silicon structures based on ultrathin Me2Si (Me = Mg, Ca, Sr, Ba) films
Surface science, 2018-04, Vol.670, p.51-57
2018
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Electronic and elastic contributions in the enhanced stability of Ge( [formula omitted]) under compressive strain
Surface science, 2004-05, Vol.556 (2), p.121-128
2004
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Electronic properties of semiconducting silicides: fundamentals and recent predictions
Thin solid films, 2004-08, Vol.461 (1), p.141-147
2004
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Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires
Applied surface science, 2021-04, Vol.545, p.148948, Article 148948
2021
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Effect of polaron formation on electronic, charge and magnetic properties of Nb12O29
Journal of alloys and compounds, 2020-04, Vol.821, p.153527, Article 153527
2020
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Correlation of the chemical composition, phase content, structural characteristics and magnetic properties of the Bi-substituted M-type hexaferrites
Ceramics international, 2023-11, Vol.49 (22), p.37009-37016
2023
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  • BibTeX
Curvature-induced effects in semiconducting alkaline-earth metal silicide nanotubes
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2021-04, Vol.128, p.114582, Article 114582
2021
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  • BibTeX
Effects of Morphology on Stability, Electronic, and Optical Properties of Rutile TiO2 Nanowires
Journal of physical chemistry. C, 2010-12, Vol.114 (49), p.21013-21019
2010
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  • BibTeX
Transport Property Simulation of p-Type ?-FeSi2
physica status solidi (b), 1997-09, Vol.203 (1), p.183-187
1997
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Structural, Electronic and Optical Properties of Ru2Si3, Ru2Ge3, Os2Si3 and Os2Ge3
Physica status solidi. B. Basic research, 2002-05, Vol.231 (1), p.171-180
2002
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Transport properties of semiconducting rhenium silicide
Microelectronic engineering, 2002-10, Vol.64 (1), p.225-232
2002
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Optical properties of isostructural β-FeSi 2,OsSi 2,Fe 0.5Os 0.5Si 2 and Os 0.5Fe 0.5Si 2
Optical materials, 2001, Vol.17 (1), p.335-338
2001
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Optical properties of semiconducting Ru 2Si 3
Optical materials, 2001, Vol.17 (1), p.339-341
2001
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Optical properties of semiconducting Ru2Si3
Optical materials, 2001-06, Vol.17 (1-2), p.339-341
2001
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Narrow-gap semiconducting silicides: the band structure
Microelectronic engineering, 2000, Vol.50 (1), p.249-255
2000
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Optical properties of isostructural β-FeSi2, OsSi2, Fe0.5Os0.5Si2 and Os0.5Fe0.5Si2
Optical materials, 2001-06, Vol.17 (1-2), p.335-338
2001
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Estimation of The Critical Radius for The Nucleation of the C54 Phase in C49 TiSi2: Role of The Difference in Density
MRS proceedings, 1999, Vol.580
1999
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Estimation of The Critical Radius for The Nucleation of the C54 Phase in C49 TiSi 2 : Role of The Difference in Density
MRS proceedings, 1999, Vol.580, Article 129
1999
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