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Band gap renormalization in a GaAs-Ga1-xAlxAs modulation doped quantum well
Solid state communications, 1986-09, Vol.59 (9), p.613-617
1986
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High gain InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors grown by OMCVD
Journal of crystal growth, 1988, Vol.93 (1-4), p.919-923
1988
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Photoconductivity and photoreflectance studies of quantum-wells and superlattices
Solid state communications, 1987-08, Vol.63 (6), p.463-466
1987
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GaAs/Ga 1− xAl xAs and Ga 1− xAl xAs/GaAs heterointerfaces grown by molecular beam epitaxy
Surface science, 1986, Vol.168 (1), p.454-461
1986
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GaAs/Ga1−xAlxAs and Ga1−xAlxAs/GaAs heterointerfaces grown by molecular beam epitaxy
Surface science, 1986-03, Vol.168 (1-3), p.454-461
1986
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Band gap renormalization in a GaAs-Ga 1−xAl xAs modulation doped quantum well
Solid state communications, 1986, Vol.59 (9), p.613-617
1986
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GaAs/Ga1-xAlxAs and Ga1-xAlxAs/GaAs heterointerfaces grown by molecular beam epitaxy
Surface science letters, 1986-03, Vol.168 (1-3), p.A127
1986
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GaAs/Ga 1- xAl xAs and Ga 1- xAl xAs/GaAs heterointerfaces grown by molecular beam epitaxy
Surface science letters, 1986, Vol.168 (1), p.A127-A127
1986
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Measurement of the density dependence of the band gap renormalization in a n-type modulation doped quantum well
Superlattices and microstructures, 1987, Vol.3 (1), p.25-28
1987
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Landau levels and magnetoluminescence of n-type GaAsGa(Al)As modulation doped quantum wells
Superlattices and microstructures, 1987, Vol.3 (1), p.29-33
1987
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CELESTE: A large heliostat array for gamma ray astronomy
Nuclear Physics B - Proceedings Supplements, 1997, Vol.54 (3), p.362-367
1997
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