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Dislocation-Related Photoluminescence in Silicon Implanted with Germanium Ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-02, Vol.53 (2), p.156-159
2019
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Analyzing Products of the Electrochemical Exfoliation of Graphite via Rutherford Backscattering Spectrometry and X-Ray Diffractometry
Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics, 2020-06, Vol.84 (6), p.732-735
2020
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Study of Multilayer Thin Film Structures by Rutherford Backscattering Spectrometry
Technical physics letters, 2019-06, Vol.45 (6), p.609-612
2019
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Influence of Annealing Temperature on Electrically Active Centers in Silicon Implanted with Germanium Ions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2019-02, Vol.53 (2), p.153-155
2019
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Depth Profiling of Layered Si−O−Al Thin Films with Secondary Ion Mass Spectrometry and Rutherford Backscattering Spectrometry
Surface investigation, x-ray, synchrotron and neutron techniques, 2019-03, Vol.13 (2), p.300-305
2019
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Mechanism of action of iron catalysts on the combustion of composite systems
Combustion, explosion, and shock waves, 1971-07, Vol.7 (3), p.317-324
1971
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