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Record-High-Performance Hydrogenated In–Ga–Zn–O Flexible Schottky Diodes
ACS applied materials & interfaces, 2020-10, Vol.12 (42), p.47739-47746
2020
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Low-temperature (150 °C) processed metal-semiconductor field-effect transistor with a hydrogenated In–Ga–Zn–O stacked channel
Japanese Journal of Applied Physics, 2020-04, Vol.59 (SG), p.SGGJ04
2020
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Heterojunction channel engineering to enhance performance and reliability of amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2019-09, Vol.58 (9), p.90604
2019
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Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2018-08, Vol.65 (8), p.3257-3263
2018
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Hydrogenated In-Ga-Zn-O thin-film transistors with anodized and fluorinated Al2O3 gate insulator for flexible devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2021-05, Vol.60 (SB)
2021
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Correlation between passivation film density and reliability of In-Ga-Zn-O thin-film transistors
Japanese Journal of Applied Physics, 2018-08, Vol.57 (8), p.88001
2018
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P‐12: Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering
SID International Symposium Digest of technical papers, 2021-05, Vol.52 (1), p.1096-1099
2021
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Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO 2 Passivation on Performance and Reliability of In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2018-08, Vol.65 (8), p.3257-3263
2018
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Influence of Deposition Temperature and Source Gas in PE-CVD for SiO2 Passivation on Performance and Reliability of In–G–Zn–O Thin-Film Transistors
IEEE transactions on electron devices, 2018-01, Vol.65 (8), p.3257
2018
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Low-temperature (150 °C) activation of Ar+O 2 +H 2 -sputtered In–Ga–Zn–O for thin-film transistors
Applied physics express, 2018-08, Vol.11 (8), p.81101
2018
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Hydrogenated In–Ga–Zn–O thin-film transistors with anodized and fluorinated Al 2 O 3 gate insulator for flexible devices
Japanese Journal of Applied Physics, 2021-05, Vol.60 (SB), p.SBBM05
2021
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(Invited) Low-Temperature Activation Method for InGaZnO x Thin-Film Transistors
Meeting abstracts (Electrochemical Society), 2018-07, Vol.MA2018-02 (36), p.1218-1218
2018
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  • BibTeX
Effect of Deposition Temperature and Source Gas Chemistry in PE-CVD SiO2 Passivation on InGaZnO TFTs
2018 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD), 2018, p.1-2
2018
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