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Substrate orientation effects in CdxHg1−xTe grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1989-07, Vol.96 (3), p.519-532
1989
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Design and assessment of metal-organic vapor phase epitaxy : Grown dual waveband infrared detectors
Journal of electronic materials, 2007-08, Vol.36 (8), p.931-936
2007
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Zn concentration determination in CdZnTe by NIR spectroscopy
Journal of crystal growth, 1999-02, Vol.197 (3), p.427-434
1999
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Electron spin lifetimes in Hg 0.78Cd 0.22 Te and InSb
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2004, Vol.20 (3), p.220-223
2004
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Electron spin lifetimes in Hg0.78Cd0.22 Te and InSb
Physica. E, Low-dimensional systems & nanostructures, 2004-01, Vol.20 (3-4), p.220-223
2004
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Extended defects in epitaxial cadmium mercury telluride
Journal of crystal growth, 1996-02, Vol.159 (1-4), p.1090-1095
1996
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Incorporation and activation of group V elements in MOVPE-grown CdxHg1-xTe
Journal of crystal growth, 1989-10, Vol.97 (3-4), p.833-844
1989
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Electron beam induced current assessment of doped and diffused junctions in epitaxial Cd xHg 1−xTe
Journal of crystal growth, 1994, Vol.138 (1), p.917-923
1994
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Electron beam induced current assessment of doped and diffused junctions in epitaxial CdxHg1-xTe
Journal of crystal growth, 1994-04, Vol.138 (1-4), p.917-923
1994
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Computer controlled deposition of cmt heterostructures by Movpe
Journal of crystal growth, 1986-12, Vol.79 (1), p.935-939
1986
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Substrate orientation effects in Cd xHg 1−xTe grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1989, Vol.96 (3), p.519-532
1989
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Incorporation and activation of group V elements in MOVPE-grown Cd xHg 1- xTe
Journal of crystal growth, 1989, Vol.97 (3), p.833-844
1989
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Group V acceptor doping of CdxHg1-xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1988-06, Vol.6 (10), p.365-368
1988
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Extrinsic doping at low concentrations for CDxHg1- xTe layers grown by MOVPE
Journal of crystal growth, 1990-04, Vol.101 (1), p.300-304
1990
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Group V acceptor doping of Cd xHg 1− xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1988, Vol.6 (10), p.365-368
1988
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Temperature variations during MOVPE growth of Cd xHg 1 - xTe
Journal of crystal growth, 1987, Vol.82 (3), p.495-500
1987
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Electrical properties and annealing behaviour of CdxHg1− xTe grown by LPE and MOVPE
Journal of crystal growth, 1986-12, Vol.79 (1), p.508-514
1986
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Arsenic diffusion effects in Cd xHg 1- xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989, Vol.8 (5), p.190-193
1989
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Arsenic diffusion effects in Cd xHg 1− xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989, Vol.8 (9), p.385-388
1989
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Arsenic diffusion effects in CdxHg1-xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989-06, Vol.8 (5), p.190-193
1989
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Arsenic diffusion effects in CdxHg1-xTe layers grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Materials letters, 1989-09, Vol.8 (9), p.385-388
1989
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Temperature variations during MOVPE growth of CdxHg1-xTe
Journal of crystal growth, 1987-03, Vol.82 (3), p.495-500
1987
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Open Access
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Electron spin coherence in long wavelength Hg/sub 1-x/Cd/sub x/Te
Twenty Seventh International Conference on Infrared and Millimeter Waves, 2002, p.25-26
2002
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Band edge absorption in CdxHg1− xTe grown by metal-organic vapour phase epitaxy
Infrared physics, 1989, Vol.29 (6), p.961-964
1989
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