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Quantum transport in high-quality shallow InSb quantum wells
Applied physics letters, 2019-07, Vol.115 (1)
2019
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Edgeless and purely gate-defined nanostructures in InAs quantum wells
Applied physics letters, 2018-12, Vol.113 (26)
2018
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Passivation of edge states in etched InAs sidewalls
Applied physics letters, 2017-08, Vol.111 (8)
2017
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Electron-Hole Interference in an Inverted-Band Semiconductor Bilayer
Physical review. X, 2020-07, Vol.10 (3), p.031007, Article 031007
2020
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Gate-defined quantum point contact in an InSb two-dimensional electron gas
Physical review research, 2021-04, Vol.3 (2), Article 023042
2021
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Experimental signatures of the inverted phase in InAs/GaSb coupled quantum wells
Physical review. B, 2016-12, Vol.94 (24), Article 241402
2016
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Electronic g factor and magnetotransport in InSb quantum wells
Physical review research, 2020-08, Vol.2 (3), Article 033213
2020
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Few-Electron Single and Double Quantum Dots in an InAs Two-Dimensional Electron Gas
PRX quantum, 2021-02, Vol.2 (1), p.010321
2021
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Nonlocal transport via edge states in InAs/GaSb coupled quantum wells
Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2015-08, Vol.92 (8), Article 081303
2015
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Magnetotransport of electrically induced two-dimensional hole gases in undoped GaSb quantum wells
Physical review research, 2020-09, Vol.2 (3), Article 033383
2020
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Lateral p-n Junction in an Inverted InAs/GaSb Double Quantum Well
Physical review letters, 2017-05, Vol.118 (20), p.206801-206801, Article 206801
2017
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Phase slips and parity jumps in quantum oscillations of inverted InAs/GaSb quantum wells
Physical review. B, 2019-05, Vol.99 (20), p.201402(R), Article 201402
2019
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Gate-tunable electronic transport in p -type GaSb quantum wells
Physical review. B, 2019-03, Vol.99 (11), Article 115435
2019
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Gate-defined quantum point contact in an InAs two-dimensional electron gas
Physical review. B, 2019-08, Vol.100 (7), p.1, Article 075422
2019
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Few-Electron Single and Double Quantum Dots in an In As Two-Dimensional Electron Gas
PRX quantum, 2021-02, Vol.2 (1), Article 010321
2021
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