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Extremely Low Excess Noise in InAs Electron Avalanche Photodiodes
IEEE photonics technology letters, 2009-07, Vol.21 (13), p.866-868
2009
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Characterization of 6.1Å III–V materials grown on GaAs and Si: A comparison of GaSb/GaAs epitaxy and GaSb/AlSb/Si epitaxy
Journal of crystal growth, 2016-02, Vol.435, p.56-61
2016
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Electroluminescence characterization of mid-infrared InAsSb/AlInAs multi-quantum well light emitting diodes heteroepitaxially integrated on GaAs and silicon wafers
Journal of crystal growth, 2022-05, Vol.586, p.126627, Article 126627
2022
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Characterization of 6.1 Å III–V materials grown on GaAs and Si: A comparison of GaSb/GaAs epitaxy and GaSb/AlSb/Si epitaxy
Journal of crystal growth, 2016-02, Vol.435, p.56-61
2016
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Low Bandgap InAs-Based Thermophotovoltaic Cells for Heat-Electricity Conversion
Journal of electronic materials, 2016-06, Vol.45 (6), p.2826-2830
2016
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Electroluminescence and photoluminescence of type-II InAs/InAsSb strained-layer superlattices in the mid-infrared
Infrared physics & technology, 2018-09, Vol.93, p.375-380
2018
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Low bandgap mid-infrared thermophotovoltaic arrays based on InAs
Infrared physics & technology, 2015-11, Vol.73, p.126-129
2015
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GaAs and AlGaAs APDs with GaSb absorption regions in a separate absorption and multiplication structure using a hetero-lattice interface
Infrared physics & technology, 2015-05, Vol.70, p.168-170
2015
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Mid-infrared InAsSb-based nBn photodetectors with AlGaAsSb barrier layers – Grown on GaAs, using an interfacial misfit array, and on native GaSb
Infrared physics & technology, 2014-11, Vol.67, p.210-213
2014
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Reprint of “Mid-infrared InAsSb-based nBn photodetectors with AlGaAsSb barrier layers – grown on GaAs, using an interfacial misfit array, and on native GaSb”
Infrared physics & technology, 2015-05, Vol.70, p.107-110
2015
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Excess avalanche noise in In0.52Al0.48As
IEEE journal of quantum electronics, 2007-06, Vol.43 (5-6), p.503-507
2007
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Excess Avalanche Noise in In@@d0.52@Al@@d0.48@As
IEEE journal of quantum electronics, 2007-06, Vol.43 (6), p.503-507
2007
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Excess Avalanche Noise in \hbox\hbox\hbox
IEEE journal of quantum electronics, 2007-06, Vol.43 (6), p.503-507
2007
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Design considerations for In0.52Al0.48As based avalanche photodiodes
2008 20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008, p.1-3
2008
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Extremely low excess noise InAlAs avalanche photodiodes
2007 IEEE 19th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials, 2007, p.81-83
2007
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InAs electron avalanche photodiodes with single carrier type multiplication and extremely low excess noise
LEOS 2008 - 21st Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2008, p.296-297
2008
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Excess Noise and Avalanche Multiplication in InAlAs
LEOS 2006 - 19th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2006, p.787-788
2006
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A Comparison of the Lower Limit of Multiplication Noise in InP and InAlAs Based APDs for Telecommunications Receiver Applications
LEOS 2006 - 19th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society, 2006, p.789-790
2006
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