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Quantum-efficiency measurements on carbon–hydrogen-alloy-based solar cells
Solar energy materials and solar cells, 1998-02, Vol.51 (3), p.433-440
1998
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High yielding self-aligned contact process for a 0.150-μm DRAM technology
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2002-05, Vol.15 (2), p.223-228
2002
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High yielding self-aligned contact process for a 0.150-[micro]m DRAM technology
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2002-05, Vol.15 (2), p.223
2002
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High yielding self-aligned contact process for a 0.150-/spl mu/m DRAM technology
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2002-05, Vol.15 (2), p.223-228
2002
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High yielding self-aligned contact process for a 0.150-mum DRAM technology
IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2002-05, Vol.15 (2), p.223-228
2002
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Extending trench DRAM technology to 0.15 /spl mu/m groundrule and beyond
International Electron Devices Meeting 1999. Technical Digest (Cat. No.99CH36318), 1999, p.33-36
1999
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