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Demonstration of reconfigurable magnetic tunnel diode and giant tunnel magnetoresistance in magnetic tunnel junctions made with spin gapless semiconductor and half-metallic Heusler alloy
Applied physics letters, 2022-02, Vol.120 (7)
2022
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Room temperature electrical spin injection from a new spin gapless ferromagnetic semiconducting inverse Heusler alloy Mn2CoSi into p-Si via SiO2 tunnel barrier
Journal of applied physics, 2019-05, Vol.125 (17)
2019
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Experimental demonstration of electrical spin injection into semiconductor employing conventional three-terminal and non-local Hanle devices using spin gapless semiconductor as ferromagnetic injector
Applied physics letters, 2023-02, Vol.122 (9)
2023
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Demonstration of efficient spin injection and detection into p-Si using NiFe2O4 based spin injector in NiFe2O4/MgO/p-Si device
Applied physics. A, Materials science & processing, 2021, Vol.127 (1), Article 31
2021
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Open Access
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Enhanced Spin Accumulation in Semiconductor at Room Temperature Using Ni0.65Zn0.35Fe2O4(NZFO) as Spin Injector in NZFO/MgO/p-Si Device
Frontiers in materials, 2021-10, Vol.8
2021
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Enhanced Spin Lifetime with Elliot–Yafet Model-Like Temperature Dependence of Spin-Polarized Holes in p‑Si Using Co2MnSi Tunnel Contact
ACS applied electronic materials, 2022-02, Vol.4 (2), p.672-677
2022
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Enhanced Spin Lifetime with Elliot–Yafet Model-Like Temperature Dependence of Spin-Polarized Holes in p-Si Using Co 2 MnSi Tunnel Contact
ACS applied electronic materials, 2022-02, Vol.4 (2), p.672-677
2022
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Robust and Efficient Electrical Injection of Spin-Polarized Carriers from a Zero-Spin-Gap Half-Metal V2NiAl into n‑Si at Room Temperature
ACS applied electronic materials, 2020-10, Vol.2 (10), p.3299-3306
2020
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Robust and Efficient Electrical Injection of Spin-Polarized Carriers from a Zero-Spin-Gap Half-Metal V 2 NiAl into n-Si at Room Temperature
ACS applied electronic materials, 2020-10, Vol.2 (10), p.3299-3306
2020
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Spin valve-like magnetic tunnel diode exhibiting giant positive junction magnetoresistance at low temperature in Co2MnSi/SiO2/p-Si heterostructure
Applied physics. A, Materials science & processing, 2018-02, Vol.124 (2), p.1-11, Article 156
2018
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GMR Based Spin Valve like Magnetic Diode Exploiting Negative JMR in Heusler Alloy Thin Film/Semiconductor Heterostructures
Materials today : proceedings, 2019, Vol.11, p.673-678
2019
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Crisis on the Coast and Hinterland: Assessing India's East Coast with Geomorphological, Environmental and Remote Sensing and GIS Approaches
1st ed. 2023., 2023
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Automated Detection of Road Potholes Under Shadowed Condition Using Machine Learning
Proceedings of the International Conference on Computing and Communication Systems, 2021, Vol.170, p.269-276
2021
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