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Effects of JFET Region Design and Gate Oxide Thickness on the Static and Dynamic Performance of 650 V SiC Planar Power MOSFETs
Materials, 2022-08, Vol.15 (17), p.5995
2022
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Non-isothermal simulation of SiC DMOSFET short circuit capability
Japanese Journal of Applied Physics, 2022-06, Vol.61 (6), p.61007
2022
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The Road to a Robust and Affordable SiC Power MOSFET Technology
Energies (Basel), 2021-12, Vol.14 (24), p.8283
2021
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Reliability Comparison of Commercial Planar and Trench 4H-SiC Power MOSFETs
2023 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2023, p.1-5
2023
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Design of the Drift Layer of 0.6 - 1.7 kV Power Silicon Carbide MOSFETs for Enhanced Short Circuit Withstand Time
2023 7th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2023, p.1-3
2023
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Silicon Carbide Dmosfet Design Adaptation for LOW Interface Trap Density
2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM), 2024, p.1-3
2024
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Characterization of Near Conduction Band SiC/SiO2 Interface Traps in Commercial 4H-SiC Power MOSFETs
2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), 2022, p.22-25
2022
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Effects of Oxide Electric Field Stress on the Gate Oxide Reliability of Commercial SiC Power MOSFETs
2022 IEEE 9th Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications (WiPDA), 2022, p.45-48
2022
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Comparison of Gate Oxide Lifetime Predictions with Charge-to-Breakdown Approach and Constant-Voltage TDDB on SiC Power MOSFET
2021 IEEE 8th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2021, p.1-4
2021
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