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Electromodulation spectroscopy of direct optical transitions in Ge1−xSnx layers under hydrostatic pressure and built-in strain
Journal of applied physics, 2016-06, Vol.119 (21)
2016
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Material gain engineering in GeSn/Ge quantum wells integrated with an Si platform
Scientific reports, 2016-09, Vol.6 (1), p.34082-34082, Article 34082
2016
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Band-gap and strain engineering in GeSn alloys using post-growth pulsed laser melting
Journal of physics. Condensed matter, 2023-02, Vol.35 (5), p.55302
2023
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Silicon-Integrated Red-Light Optical Gain Medium Based on BGaAs/GaP Quantum Wells
2020 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2020, p.1-2
2020
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Modeling of the electronic band structure and the material gain in GeSn-based quantum wells
2017 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (SUM), 2017, p.81-81
2017
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Electromodulation spectroscopy of direct optical transitions in Ge{sub 1−x}Sn{sub x} layers under hydrostatic pressure and built-in strain
Journal of applied physics, 2016-06, Vol.119 (21)
2016
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Designing and analysis of SiGeSn-based quantum wells integrated with Si platform for laser applications
2017 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2017, p.13-14
2017
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An AlInAsSb/GaSb Superlattice Analysis - The Digital Alloy Iduced Conduction Band States
2018 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2018, p.45-46
2018
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Growth Advancement of GaAs-Based BGaInAs Alloys Emitting at 1.3 μm by Molecular Beam Epitaxy
Crystal growth & design, 2022-06, Vol.22 (6), p.3753-3759
2022
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Photoreflectance studies of the band gap alignments in boron diluted BGaInAs/GaAs quantum wells
Optical materials express, 2022-08, Vol.12 (8), p.3118
2022
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Rangeland Ecosystem Goods and Services: Values and Evaluation of Opportunities for Ranchers and Land Managers
Rangelands, 2011-10, Vol.33 (5), p.30-36
2011
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