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NiO junction termination extension for high-voltage (>3 kV) Ga2O3 devices
Applied physics letters, 2023-05, Vol.122 (18)
2023
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An avalanche-and-surge robust ultrawide-bandgap heterojunction for power electronics
Nature communications, 2023-07, Vol.14 (1), p.4459-4459
2023
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Simple Theoretical Model for Thermal Conductivity of Crystalline Polymers
ACS applied polymer materials, 2019-10, Vol.1 (10), p.2566-2570
2019
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Clinical Efficacy of Infantile Massage in the Treatment of Infant Functional Constipation: A Meta-Analysis
Frontiers in public health, 2021-06, Vol.9, p.663581-663581
2021
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The Effects of Aspirin With Combined Compound Danshen Dropping Pills on Hemorheology and Blood Lipids in Middle-Aged and Elderly Patients With CHD: A Systematic Review and Meta-Analysis
Frontiers in public health, 2021-06, Vol.9, p.664841-664841
2021
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Superjunction Power Transistors With Interface Charges: A Case Study for GaN
IEEE journal of the Electron Devices Society, 2020, Vol.8, p.42-48
2020
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GaN FinFETs and trigate devices for power and RF applications: review and perspective
Semiconductor science and technology, 2021-05, Vol.36 (5), p.54001
2021
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3.3 kV Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes With P-GaN Termination
IEEE electron device letters, 2020-08, Vol.41 (8), p.1177-1180
2020
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Tri-Gate GaN Junction HEMTs: Physics and Performance Space
IEEE transactions on electron devices, 2021-10, Vol.68 (10), p.4854-4861
2021
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Thermal Switching of Thermoresponsive Polymer Aqueous Solutions
ACS macro letters, 2018-01, Vol.7 (1), p.53-58
2018
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Degradation and Recovery of GaN HEMTs in Overvoltage Hard Switching Near Breakdown Voltage
IEEE transactions on power electronics, 2023-01, Vol.38 (1), p.435-446
2023
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10 kV, 39 mΩ·cm 2 Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
IEEE electron device letters, 2021-06, Vol.42 (6), p.808-811
2021
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10 kV, 39 mΩ·cm2 Multi-Channel AlGaN/GaN Schottky Barrier Diodes
IEEE electron device letters, 2021-06, Vol.42 (6), p.808-811
2021
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Activating Thick Buried p-GaN for Device Applications
IEEE transactions on electron devices, 2022-08, Vol.69 (8), p.4224-4230
2022
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Experimental Phonon Dispersion and Lifetimes of Tetragonal CH 3 NH 3 PbI 3 Perovskite Crystals
The journal of physical chemistry letters, 2019-01, Vol.10 (1), p.1-6
2019
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Experimental Phonon Dispersion and Lifetimes of Tetragonal CH3NH3PbI3 Perovskite Crystals
The journal of physical chemistry letters, 2019-01, Vol.10 (1), p.1-6
2019
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Tri-gate GaN junction HEMT
Applied physics letters, 2020-10, Vol.117 (14)
2020
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10-kV Ga 2 O 3 Charge-Balance Schottky Rectifier Operational at 200 °C
IEEE electron device letters, 2023-08, Vol.44 (8), p.1268-1271
2023
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10 kV Ga2O3 Charge-Balance Schottky Rectifier Operational at 200 °C
IEEE electron device letters, 2023-06, p.1-1
2023
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1 kV GaN-on-Si Quasi-Vertical Schottky Rectifier
IEEE electron device letters, 2023-07, Vol.44 (7), p.1052-1055
2023
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1 kV Self-Aligned Vertical GaN Superjunction Diode
IEEE electron device letters, 2024-01, Vol.45 (1), p.12-15
2024
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1 kV Self-Aligned Vertical GaN Superjunction Diode
IEEE electron device letters, 2023-11, Vol.45 (1)
2023
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Thermal Modulation of Gigahertz Surface Acoustic Waves on Lithium Niobate
Physical review applied, 2022-11, Vol.18 (5), Article 054078
2022
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Experimental Phonon Dispersion and Lifetimes of Tetragonal CH3NH3PbI3 Perovskite Crystals
The journal of physical chemistry letters, 2018-12, Vol.10 (1)
2018
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Supercompliant and Soft (CH3NH3)3Bi2I9 Crystal with Ultralow Thermal Conductivity
Physical review letters, 2019-10, Vol.123 (15)
2019
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