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Carbon nanotube tipped atomic force microscopy for measurement of <100 nm etch morphology on semiconductors

Applied physics letters, 1998-07, Vol.73 (4), p.529-531

1998

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High etch rates of SiC in magnetron enhanced SF6 plasmas

Applied physics letters, 1996-06, Vol.68 (26), p.3755-3757

1996

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Magnetron reactive ion etching of GaAs : residual damage study

Journal of applied physics, 1991-01, Vol.69 (2), p.695-697

1991

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Dry Etching of SiC for Advanced Device Applications

MRS proceedings, 1996, Vol.421, Article 153

1996

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High etch rates of GaN with magnetron reactive ion etching in BCl3 plasmas

Applied physics letters, 1995-06, Vol.66 (24), p.3328-3330

1995

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Magnetron-enhanced reactive ion etching of GaAs and AlGaAs using CH4/H2/Ar

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1993, Vol.11 (4), p.1753-1757

1993

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Effects of BCl3 magnetron ion etching on deep levels in GaAs

Journal of applied physics, 1992-12, Vol.72 (11), p.5512-5513

1992

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Magnetron etching of GaAs: Etch characteristics and surface characterization

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1992-07, Vol.10 (4), p.1147-1151

1992

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Fabrication of multipolar magnetic field sources

Journal of applied physics, 1994-11, Vol.76 (10), p.6253-6255

1994

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Cathodoluminescence study of GaAs quantum wells and of submicron dots fabricated by magnetron reactive ion etching

Applied physics letters, 1997-01, Vol.70 (4), p.408-410

1997

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Reactive ion etching of III–V nitrides

Solid-state electronics, 1997-02, Vol.41 (2), p.159-163

1997

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Reactive ion etching of Ta-Si-N diffusion barriers in CHF3+O2

Electronics letters, 1995-03, Vol.31 (7), p.591-592

1995

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Magnetron reactive ion etching of group III-nitride ternary alloys

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1996-05, Vol.14 (3), p.1046-1049

1996

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Luminescence properties of submicron features fabricated by using magnetron reactive ion etching with different sample biases

Applied physics letters, 1995-12, Vol.67 (26), p.3883-3885

1995

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Magnetron enhanced reactive ion etching of GaAs in CH4/H2/Ar: Surface damage study

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1994-07, Vol.12 (4), p.1356-1359

1994

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Dry etching of InGaP in magnetron enhanced BCl3 plasmas

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1997-05, Vol.15 (3), p.622-625

1997

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Magnetron reactive ion etching of AlN and InN in BCl3 plasmas

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1995-05, Vol.13 (3), p.724-726

1995

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Magnetron enhanced etching of GaAs

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1991-05, Vol.9 (3), p.935-938

1991

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Magnetron reactive ion etching of GaAs in a BCl3 discharge

Journal of vacuum science & technology. B, Microelectronics and nanometer structures processing, measurement and phenomena, 1993-03, Vol.11 (2), p.333-336