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Electrical Properties of Defects in 4H-SiC Investigated by Photo-Induced-Currents Measurements
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.380-383
2016
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Protrusions reduction in 3C-SiC thin film on Si
Journal of crystal growth, 2018-09, Vol.498, p.248-257
2018
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Controlled large-scale fabrication of sea sponge-like ZnO nanoarchitectures on textured silicon
CrystEngComm, 2009, Vol.11 (12), p.2770
2009
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Strong Raman yield enhancement in large Si nanocrystals from ultraviolet to infrared: Density and shape dependence
Journal of Raman spectroscopy, 2019-05, Vol.50 (5), p.674-683
2019
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High Quality Single Crystal 3C-SiC(111) Films Grown on Si(111)
Materials science forum, 2009-03, Vol.615-617, p.145-148
2009
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Defects in High Energy Ion Irradiated 4H-SiC
Materials science forum, 2009-03, Vol.615-617, p.397-400
2009
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SiCILIA-Silicon Carbide Detectors for Intense Luminosity Investigations and Applications
Sensors (Basel, Switzerland), 2018-07, Vol.18 (7), p.2289
2018
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Formation, Morphology, and Optical Properties of Electroless Deposited Gold Nanoparticles on 3C-SiC
Journal of physical chemistry. C, 2017-03, Vol.121 (8), p.4304-4311
2017
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Detection of crystallographic defects in 3C-SiC by micro-Raman and micro-PL analysis
2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1
2017
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Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.535-538, Article 535
2018
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Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.124-127
2018
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Vapor Growth of 3C-SiC Using the Transition Layer of 3C-SiC on Si CVD Templates
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.149-152
2019
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High Resolution Investigation of Stacking Fault Density by HRXRD and STEM
Materials science forum, 2019-07, Vol.963, p.346-349
2019
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3C-SiC bulk sublimation growth on CVD hetero-epitaxial seeding layers
2016 European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM), 2017-05, Vol.897, p.1-1
2017
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22% efficiency module combining Silicon Heterojunction Solar and Shingle interconnection
2022 IEEE 49th Photovoltaics Specialists Conference (PVSC), 2022, p.1360-1362
2022
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Double Step Annealing for the Recovering of Ion Implantation Defectiveness in 4H-SiC DIMOSFET
Materials science forum, 2018-06, Vol.924, p.357-360
2018
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Silicon Heterojunction Solar Module using Shingle interconnection
2021 IEEE 48th Photovoltaic Specialists Conference (PVSC), 2021, p.1092-1095
2021
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Physical Vapor Growth of Double Position Boundary Free, Quasi-Bulk 3C-SiC on High Quality 3C-SiC on Si CVD Templates
Materials Science Forum, 2016-05, Vol.858, p.89-92, Article 89
2016
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4H-SiC Epitaxial Layer Grown on 150 mm Automatic Horizontal Hot Wall Reactor PE106
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.121-124
2014
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Study of the Effects of Growth Rate, Miscut Direction and Postgrowth Argon Annealing on the Surface Morphology of Homoepitaxially Grown 4H Silicon Carbide Films
Materials science forum, 2013-01, Vol.740-742, p.229-234
2013
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Effects of the Growth Rate on the Quality of 4H Silicon Carbide Films for MOSFET Applications
Materials science forum, 2014-02, Vol.778-780, p.95-98
2014
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Compensation Effects in 7 MeV C Irradiated n-Doped 4H-SiC
Materials science forum, 2009, Vol.600-603, p.619-622
2009
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Optimisation of Epitaxial Layer Growth with HCl Addition by Optical and Electrical Characterization
Materials science forum, 2007, Vol.556-557, p.137-140
2007
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