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High-Efficiency Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Efficient Carrier Confinement and High Light Extraction
IEEE transactions on electron devices, 2019-02, Vol.66 (2), p.976-982
2019
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Design and Optimization of Electron-Blocking Layer in Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes
IEEE journal of quantum electronics, 2020-02, Vol.56 (1), p.1-6
2020
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Improvement in output power of a 460 nm InGaN light-emitting diode using staggered quantum well
Journal of applied physics, 2010-09, Vol.108 (6), p.063107-063107-6
2010
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Polarization Effect in AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
IEEE journal of quantum electronics, 2017-02, Vol.53 (1), p.1-6
2017
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Numerical Investigation of High-Efficiency InGaN-Based Multijunction Solar Cell
IEEE transactions on electron devices, 2013-12, Vol.60 (12), p.4140-4145
2013
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Vegard's law deviation in lattice constant and band gap bowing parameter of zincblende InxGa1-xN
Optics communications, 2004-07, Vol.237 (4-6), p.363-369
2004
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Study of Lattice Constant and Bulk Modulus in Zincblende InGaN Using Local Density Approximation and Generalized Gradient Approximation
Japanese Journal of Applied Physics, 2008-05, Vol.47 (5R), p.3350
2008
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Effects of quantum barriers and electron-blocking layer in deep-ultraviolet light-emitting diodes
Journal of physics. D, Applied physics, 2018-02, Vol.51 (7), p.75106
2018
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Top-Emitting Organic Light-Emitting Diodes With Step-Doped Emission Layers
IEEE photonics technology letters, 2011-04, Vol.23 (8), p.480-482
2011
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Influence of barrier structure on polarization effect in near ultraviolet light-emitting diodes
2016 International Semiconductor Laser Conference (ISLC), 2016, p.1-2
2016
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Electronic and structural properties of zincblende AlxIn1-xN
Optics communications, 2007-06, Vol.274 (2), p.361-365
2007
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Band-Gap Bowing Parameters of the Zincblende Ternary III–Nitrides Derived from Theoretical Simulation
Japanese Journal of Applied Physics, 2004-01, Vol.43 (1), p.113-114
2004
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Bowing parameter of zincblende INxGa1-xN
Optics communications, 2007-12, Vol.280 (1), p.153-156
2007
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Numerical study on gain and optical properties of AlGaInAs, InGaNAs, and InGaAsP material systems for 1.3-μm semiconductor lasers
Optics communications, 2007-07, Vol.275 (1), p.156-164
2007
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Effect of biaxial strain on the band gap of wurtzite AlxGa1−xN
Applied physics. A, Materials science & processing, 2012-03, Vol.106 (4), p.1013-1016
2012
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Discrete-ordinate solutions for radiative transfer in a cylindrical enclosure with Fresnel boundaries
International journal of heat and mass transfer, 1997-07, Vol.40 (10), p.2467-2475
1997
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Effect of biaxial strain on the band gap of wurtzite Al x Ga1−x N
Applied physics. A, Materials science & processing, 2012-03, Vol.106 (4), p.1013-1016
2012
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Radiative transfer in a two-layer slab with Fresnel interfaces
Journal of quantitative spectroscopy & radiative transfer, 1996-10, Vol.56 (4), p.573-589
1996
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COMPOSITE DISCRETE-ORDINATE SOLUTIONS FOR RADIATIVE TRANSFER IN A TWO-LAYER MEDIUM WITH FRESNEL INTERFACES
Numerical heat transfer. Part A, Applications, 1996-11, Vol.30 (7), p.739-751
1996
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Electronic and structural properties of zincblende Al x In 1− x N
Optics communications, 2007, Vol.274 (2), p.361-365
2007
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First-principles calculation for bowing parameter of wurtzite InxGa1−xN
Optics communications, 2005-05, Vol.249 (1-3), p.217-223
2005
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Bowing parameter of zincblende In x Ga 1− x N
Optics communications, 2007, Vol.280 (1), p.153-156
2007
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Vegard's law deviation in lattice constant and band gap bowing parameter of zincblende In xGa 1− xN
Optics communications, 2004, Vol.237 (4), p.363-369
2004
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