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The Surge Current Failure and Thermal Analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode
IEEE transactions on electron devices, 2024-06, Vol.71 (6), p.3805-3810
2024
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Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer
Applied physics letters, 2024-09, Vol.125 (12)
2024
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Fabrication of Ohmic Contact on N-Type SiC by Laser Annealed Process: A Review
Crystals (Basel), 2023-07, Vol.13 (7), p.1106
2023
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High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs with Threshold Voltage of 7.1 V
IEEE electron device letters, 2024-10, p.1-1
2024
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Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors
The Journal of physics and chemistry of solids, 2024-04, Vol.187, p.111870, Article 111870
2024
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Improved electrical performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors with forming gas annealing
Solid-state electronics, 2024-03, Vol.213, p.108861, Article 108861
2024
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Failure mechanism of E-FUSE for a production chip during the ESD zapping event
2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2017, p.PM-1.1-PM-1.4
2017
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A high-performance Slow-Wave CPW with ESD protection for ultraflat band millimeter-Wave applications
2017 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium (RFIC), 2017, p.316-319
2017
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Channel-carrier mobility parameters for 4H SiC MOSFETs
Microelectronics and reliability, 2003-03, Vol.43 (3), p.405-411
2003
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Atomic Force Probing and Focus Exposure Matrix Analysis to Resolve High Leakage Current Failure on SRAM
2022 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA), 2022, p.1-4
2022
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Open Access
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Novel SiC accumulation-mode power MOSFET
IEEE transactions on electron devices, 2001-08, Vol.48 (8), p.1711-1717
2001
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Channel-carrier mobility parameters for 4H SiC MOSFETs
2002 23rd International Conference on Microelectronics. Proceedings (Cat. No.02TH8595), 2002, Vol.2, p.425-430 vol.2
2002
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