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IEEE transactions on electron devices, 2009-09, Vol.56 (9), p.2107-2113
2009
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IEEE transactions on electron devices, 2009-09, Vol.56 (9), p.1959-1965
2009
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IEEE transactions on electron devices, 2009-09, Vol.56 (9), p.2045-2051
2009
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Microelectronics and reliability, 2018-02, Vol.81, p.226-231
2018
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IEEE electron device letters, 2008-01, Vol.29 (1), p.106-108
2008
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2006 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2006, p.18-28
2006
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IEEE Custom Integrated Circuits Conference 2006, 2006, p.571-574
2006
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2005
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2008 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), 2008, p.83-84
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Microelectronics and reliability, 2001-05, Vol.41 (5), p.689-696
2001
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2007
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IEEE transactions on electron devices, 1993-01, Vol.40 (1), p.163-168
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2007 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), 2007, p.1-2
2007
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2006 International Electron Devices Meeting, 2006, p.1-4
2006
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RTS and 1/f Noise in Flash Memory
2007 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA), 2007, p.1-2
2007
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IEEE electron device letters, 1990-05, Vol.11 (5), p.203-205
1990
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