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Multiple and Mass Transfer of Magnetic Particles for Use in Biosensors
IEEE transactions on magnetics, 2011-09, Vol.47 (9), p.2220-2223
2011
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Band gap engineering for single-layer graphene by using slow Li+ ions
Nanotechnology, 2016-08, Vol.27 (31), p.31LT03-31LT03
2016
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Modification of thermal and electronic properties of bilayer graphene by using slow Na+ ions
Nanotechnology, 2016-12, Vol.27 (48), p.485704-485704
2016
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Observation of variable hybridized-band gaps in Eu-intercalated graphene
Nanotechnology, 2017-05, Vol.28 (20), p.205201-205201
2017
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Cerium-induced changes in the π-band of graphene
RSC advances, 2016-01, Vol.6 (115), p.114219-114223
2016
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Open Access
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Persistent Topological Surface State at the Interface of Bi2Se3 Film Grown on Patterned Graphene
ACS nano, 2014-02, Vol.8 (2), p.1154-1160
2014
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Modification of electronic properties of graphene by using low-energy K+ ions
Applied physics letters, 2016-05, Vol.108 (18)
2016
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Proximity Effect Induced Electronic Properties of Graphene on Bi2Te2Se
ACS nano, 2015-11, Vol.9 (11), p.10861-10866
2015
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Band and bonding characteristics of N 2 + ion-doped graphene
RSC advances, 2016, Vol.6 (88), p.84959-84964
2016
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Observation of Mg-induced structural and electronic properties of graphene
Applied physics letters, 2016-11, Vol.109 (19)
2016
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  • BibTeX
Topological modification of the electronic structure by Bi-bilayers lying deep inside bulk Bi sub(2) Se sub(3)
Journal of physics. Condensed matter, 2016-03, Vol.28 (8)
2016
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Topological modification of the electronic structure by Bi-bilayers lying deep inside bulk Bi 2 Se 3
Journal of physics. Condensed matter, 2016-03, Vol.28 (8), p.85002
2016
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Band and bonding characteristics of N2+ ion-doped graphene
2016-09
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Band modification of graphene by using slow Cs + ions
RSC advances, 2016, Vol.6 (11), p.9106-9111
2016
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Topological modification of the electronic structure by Bi-bilayers lying deep inside bulk Bi2Se3
Journal of physics. Condensed matter, 2016-02, Vol.28 (8)
2016
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  • BibTeX
Proximity Effect Induced Electronic Properties of Graphene on Bi 2 Te 2 Se
ACS nano, 2015-11, Vol.9 (11), p.10861-10866
2015
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Persistent Topological Surface State at the Interface of Bi 2 Se 3 Film Grown on Patterned Graphene
ACS nano, 2014-02, Vol.8 (2), p.1154-1160
2014
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Persistent Topological Surface State at the Interface of Bi sub(2)Se sub(3) Film Grown on Patterned Graphene
ACS nano, 2014-02, Vol.8 (2), p.1154-1160-1154-1160
2014
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Topological modification of the electronic structure by Bi-bilayers lying deep inside bulk Bi₂Se
Journal of physics. Condensed matter, 2016-03, Vol.28 (8), p.085002-085002
2016
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Band modification of graphene by using slow Cs+ ionsElectronic supplementary information (ESI) available. See DOI: 10.1039/c5ra24482j
2016-01
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Manipulation of Magnetic Beads by Magnetic Fields of Narrow Metallic Wires for Use in Biosensors
IEEE transactions on magnetics, 2009-06, Vol.45 (6), p.2875-2877
2009
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