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The flexible non-volatile memory devices using oxide semiconductors and ferroelectric polymer poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)
Applied physics letters, 2011-07, Vol.99 (1), p.012901-012901-3
2011
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Fabrication of a Paper Memory Transistor by Using a Solution Process
Journal of the Korean Physical Society, 2020, 76(12), , pp.1088-1091
2020
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Impact of interface controlling layer of Al2O3 for improving the retention behaviors of In–Ga–Zn oxide-based ferroelectric memory transistor
Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (23)
2010
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The Ferroelectricity and Electrical Properties of P(VDF-TrFE) Copolymer Film
Journal of the Korean Physical Society, 2007-08, Vol.51 (92), p.719
2007
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Fabrication and Characterization of MFIS-FET Using PVDF-TrFE/ZrO2/Si Structure
Journal of the Korean Physical Society, 2010-05, Vol.56 (5), p.1484-1487
2010
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Fabrication of a Paper Memory Transistor by Using a Solution Process
Journal of the Korean Physical Society, 2020-06, p.1088-1091
2020
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Electric Properties of PVDF-TrFE (75/25) Thin Films with a Lanthanum Zirconium Oxide Buffer Layer for FeRAM
Journal of the Korean Physical Society, 2009, 55(2), , pp.898-901
2009
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Fabrication and characterization of Au/SBT/LZO/Si MFIS structure
Journal of electroceramics, 2009-10, Vol.23 (2-4), p.284-288
2009
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Fabrication and Characterization of MFIS-FET Using Au/BLT/LZO/Si Structures
Ferroelectrics, 2008-01, Vol.368 (1), p.81-89
2008
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Thin Film Properties of Sol-Gel Derived High-K Lanthanum-Doped Zirconium Oxides
Ferroelectrics, 2009-01, Vol.384 (1), p.126-133
2009
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Electric Properties of PVDF-TrFE (75/25) Thin Films with a Lanthanum Zirconium Oxide Buffer Layer for FeRAM
Journal of the Korean Physical Society, 2009-08, p.898-901
2009
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The Ferroelectricity and Electrical Properties of P(VDF-TrFE) Copolymer Film
Journal of the Korean Physical Society, 2007, 51(2I), , pp.719-722
2007
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Fabrication and Electrical Properties of Au/Bi3.35La0.75Ti3O12/ZrO2/Si Structure
Journal of the Korean Physical Society, 2007, 51(2I), , pp.727-730
2007
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Fabrication and Characterization of a MFIS-FET with a PVDF-TrFE/ZrO₂/Si Structure
Journal of the Korean Physical Society, 2010, 56(5), , pp.1484-1487
2010
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Impact of interface controlling layer of Al 2 O 3 for improving the retention behaviors of In-Ga-Zn oxide-based ferroelectric memory transistor
Applied physics letters, 2010-06, Vol.96 (23), p.232903-232903-3
2010
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총설 : 식품중의 Aflatoxins -분석방법 및 이화학적 반응을 통한 저감화를 중심으로
Applied biological chemistry, 2004-03, Vol.47 (1), p.1
2004
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Thin Film Properties of Sol-Gel Derived High-K Lanthanum-Doped Zirconium Oxides
Ferroelectrics, 2009-05, Vol.384 (1), p.1
2009
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Electric Properties of PVDF-TrFE (75/25) thin film with Lanthanum Zirconium Oxide Buffer Layer for FeRAM
Journal of the Korean Physical Society, 2009-08, Vol.55 (2(1)), p.898-901
2009
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Fabrication and Electrical Properties of Au/Bi3.35La0.75Ti3O12/ZrO2/Si Structure
Journal of the Korean Physical Society, 2007-08, Vol.51 (92), p.727
2007
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Thin Film Properties of Sol-Gel Derived High-K Lanthanum-Doped Zirconium Oxides
Ferroelectrics (Print), 2009, Vol.384, p.1006-1013
2009
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FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF MFIS-FET USING Bi3.25La0.75Ti3O12/ZrO2/Si STRUCTURE
Integrated ferroelectrics, 2006-01, Vol.84 (1), p.203-210
2006
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FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF MFIS-FET USING Bi 3.25 La 0.75 Ti 3 O 12 /ZrO 2 /Si STRUCTURE
Integrated ferroelectrics, 2006-11, Vol.84 (1), p.203-210
2006
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Open Access
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Endoscopic resection of sparganosis presenting as colon submucosal tumor: A case report
World journal of gastroenterology : WJG, 2016-05, Vol.22 (19), p.4776-4780
2016
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Open Access
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Is endoscopic submucosal dissection safe for papillary adenocarcinoma of the stomach?
World journal of gastroenterology : WJG, 2015-04, Vol.21 (13), p.3944-3952
2015
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Open Access
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Adult intussusception caused by cystic lymphangioma of the colon: a rare case report
World journal of gastroenterology : WJG, 2006-04, Vol.12 (13), p.2130
2006
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