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Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates by MOCVD
Science China. Physics, mechanics & astronomy, 2011-10, Vol.54 (10), p.1815-1818
2011
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Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition
Science China. Physics, mechanics & astronomy, 2012-04, Vol.55 (4), p.644-648
2012
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Improved breakdown voltage of AlGaN/GaN HEMTs grown on Si substrates using partially Mg-doped GaN buffer layer by MOCVD
Science China. Physics, mechanics & astronomy, 2010-09, Vol.53 (9), p.1578-1581
2010
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Improved GaN grown on Si(111) substrate using ammonia flow modulation on SiN_x mask layer by MOCVD
中国科学：技术科学英文版, 2009 (9), p.2758-2761
2009
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Fabrication of 0.3- Delta mm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organic chemical vapor deposition
Science China. Physics, mechanics & astronomy, 2012-04, Vol.55 (4), p.644-648
2012
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Resistivity Control in Unintentionally Doped GaN Films Grown on Si (111) Substrates by MOCVD
Advanced materials research, 2012, Vol.415-417, p.1959-1963
2012
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Growth Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on Patterned Si (111) Substrates Using Double AlN Interlayers by MOCVD
Advanced materials research, 2011-11, Vol.396-398, p.372-375
2011
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Room-Temperature Electrically Pumped InP-based 1.3\boldsymbol \mathbf Quantum Dot Laser on on-axis (001) Silicon
2019 Compound Semiconductor Week (CSW), 2019, p.1-1
2019
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Improved GaN grown on Si(111) substrate using ammonia flow modulation on SiN x mask layer by MOCVD
Science in China Series E: Technological Sciences, 2009-09, Vol.52 (9), p.2758-2761
2009
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Improved GaN grown on Si(111) substrate using ammonia flow modulation on SiNx mask layer by MOCVD
Science in China Series E: Technological Sciences, 2009, Vol.52 (9), p.2758-2761
2009
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Evidence of mobile holes on GaN HFET barrier layer surface - root cause of high power transistoramplifier current collapse
2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology, 2008, p.1090-1093
2008
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Temperature stability of Al(x)Ga(1-x)As (x = 0-1) thermal oxide masks for selective-area epitaxy
Journal of applied physics, 1988-07, Vol.64, p.922-925
1988
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AlGaAs/GaAs quantum wells with high carrier confinement and luminescence efficiencies by organometallic chemical vapor deposition
Journal of applied physics, 1987-07, Vol.62 (1), p.120-125
1987
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Photoluminescence characteristics of selectively grown GaAs and AlGaAs/GaAs quantum wells
Journal of applied physics, 1987-09, Vol.62 (6), p.2466-2469
1987
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