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Review of Silicon Carbide Processing for Power MOSFET
Crystals (Basel), 2022-02, Vol.12 (2), p.245
2022
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Development of GaN HEMTs Fabricated on Silicon, Silicon-on-Insulator, and Engineered Substrates and the Heterogeneous Integration
Micromachines (Basel), 2021-09, Vol.12 (10), p.1159
2021
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Vertical GaN MOSFET Power Devices
Micromachines (Basel), 2023-10, Vol.14 (10), p.1937
2023
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The Evolution of Manufacturing Technology for GaN Electronic Devices
Micromachines (Basel), 2021-06, Vol.12 (7), p.737
2021
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Metal-insulator-semiconductor type diode based on implanted β-Ga2O3 epilayers grown on sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition
Materials today advances, 2023-06, Vol.18, p.100382, Article 100382
2023
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  • BibTeX
Heteroepitaxially grown homojunction gallium oxide PN diodes using ion implantation technologies
Materials today advances, 2024-06, Vol.22, p.100499, Article 100499
2024
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Improving the High-Temperature Gate Bias Instabilities by a Low Thermal Budget Gate-First Process in p-GaN Gate HEMTs
Micromachines (Basel), 2023-02, Vol.14 (3), p.576
2023
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Analysis of breakdown voltage for GaN MIS-HEMT with various composite field plate configurations and passivation layers
Solid-state electronics, 2024-06, Vol.216, p.108930, Article 108930
2024
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State-of-the-Art β‑Ga2O3 Field-Effect Transistors for Power Electronics
ACS omega, 2022-10, Vol.7 (41), p.36070-36091
2022
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Gateway towards recent developments in quantum dot-based light-emitting diodes
Nanoscale, 2022-03, Vol.14 (11), p.442-464
2022
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  • BibTeX
State-of-the-Art β-Ga 2 O 3 Field-Effect Transistors for Power Electronics
ACS omega, 2022-10, Vol.7 (41), p.36070-36091
2022
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  • BibTeX
Impact of In and Ga Fractions in Lattice-Matched InAlGaN Barrier Layer on Performance of InAlGaN/GaN MISHEMT
2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA), 2024, p.1-2
2024
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  • BibTeX
Effects of Drain Field Plate Structure and Passivation Dielectrics on Breakdown Voltage of GaN MISHEMT
2023 IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia), 2023, p.1-4
2023
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A Novel High-Performance Leakage-Tolerant Keeper Domino Circuit for Wide Fan-In Gates
Advances in Communication, Devices and Networking, 2019, Vol.537, p.11-19
2019
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