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- Fenouillet-Beranger, C.
- Brunet, L.
- Batude, P.
- Brevard, L.
- Garros, X.
- Casse, M.
- Lacord, J.
- Sklenard, B.
- Acosta-Alba, P.
- Kerdiles, S.
- Tavernier, A.
- Vizioz, C.
- Besson, P.
- Gassilloud, R.
- Pedini, J.-M.
- Kanyandekwe, J.
- Mazen, F.
- Magalhaes-Lucas, A.
- Cavalcante, C.
- Bosch, D.
- Ribotta, M.
- Lapras, V.
- Vinet, M.
- Andrieu, F.
- Arcamone, J.
2021
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IEEE transactions on electron devices, 2020-11, Vol.67 (11), p.4626-4630
2020
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IEEE transactions on electron devices, 2016-02, Vol.63 (2), p.781-786
2016
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IEEE transactions on nuclear science, 2019-07, Vol.66 (7), p.1628-1633
2019
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2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2023, p.65-68
2023
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2023 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2023, p.69-72
2023
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2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits), 2022, p.332-333
2022
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Microelectronic engineering, 2017-06, Vol.178, p.245-249
2017
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2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2020, p.1-2
- Cavalcante, C.
- Fenouillet-Beranger, C.
- Batude, P.
- Garros, X.
- Federspiel, X.
- Lacord, J.
- Kerdiles, S.
- Royet, A. S.
- Acosta-Alba, P.
- Rozeau, O.
- Barral, V.
- Arnaud, F.
- Planes, N.
- Sassoulas, P. O.
- Ghegin, E.
- Beneyton, R.
- Gregoire, M.
- Weber, O.
- Guerin, C.
- Arnaud, L.
- Moreau, S.
- Kies, R.
- Romano, G.
- Rambal, N.
- Magalhaes, A.
- Ghibaudo, G.
- Colinge, J. P.
- Vinet, M.
- Andrieu, F.
2020
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2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2020, p.1-2
2020
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2021 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), 2021, p.1-5
2021
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Solid-state electronics, 2018-05, Vol.143, p.10-19
2018
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2014 Symposium on VLSI Technology (VLSI-Technology): Digest of Technical Papers, 2014, p.1-2
- Weber, O.
- Josse, E.
- Andrieu, F.
- Cros, A.
- Richard, E.
- Perreau, P.
- Baylac, E.
- Degors, N.
- Gallon, C.
- Perrin, E.
- Chhun, S.
- Petitprez, E.
- Delmedico, S.
- Simon, J.
- Druais, G.
- Lasserre, S.
- Mazurier, J.
- Guillot, N.
- Bernard, E.
- Bianchini, R.
- Parmigiani, L.
- Gerard, X.
- Pribat, C.
- Gourhant, O.
- Abbate, F.
- Gaumer, C.
- Beugin, V.
- Gouraud, P.
- Maury, P.
- Lagrasta, S.
- Barge, D.
- Loubet, N.
- Beneyton, R.
- Benoit, D.
- Zoll, S.
- Chapon, J.-D.
- Babaud, L.
- Bidaud, M.
- Gregoire, M.
- Monget, C.
- Le-Gratiet, B.
- Brun, P.
- Mellier, M.
- Pofelski, A.
- Clement, L.R.
- Bingert, R.
- Puget, S.
- Kruck, J.-F.
- Hoguet, D.
- Scheer, P.
- Poiroux, T.
- Manceau, J.-P.
- Rafik, M.
- Rideau, D.
- Jaud, M.-A.
- Lacord, J.
- Monsieur, F.
- Grenouillet, L.
- Vinet, M.
- Liu, Q.
- Doris, B.
- Celik, M.
- Fetterolf, S.P.
- Faynot, O.
- Haond, M.
2014
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Solid-state electronics, 2023-06, Vol.204, p.108652, Article 108652
2023
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2020 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2020, p.1-2
- Fenouillet-Beranger, C.
- Brunet, L.
- Batude, P.
- Brevard, L.
- Garros, X.
- Frutuoso, T. Mota
- Casse, M.
- Lugo, J.
- Lacord, J.
- Bosch, D.
- Bernard, N.
- Magalhaes-Lucas, A.
- Ribotta, M.
- Sklenard, B.
- Milesi, F.
- Kies, R.
- Romano, G.
- Acosta-Alba, P.
- Kerdiles, S.
- Tavernier, A.
- Vizioz, C.
- Besson, P.
- Gassilloud, R.
- Kanyandekwe, J.
- Cooper, D.
- Lapras, V.
- Kim, W. H.
- Sasaki, Y.
- Oh, S.
- Kang, P.
- Lee, S. W.
- Na, H.
- Arcamone, J.
- Andrieu, F.
2020
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Solid-state electronics, 2023-10, Vol.208, p.108740, Article 108740
2023
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IEEE transactions on electron devices, 2012-05, Vol.59 (5), p.1332-1344
2012
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Solid-state electronics, 2023-11, Vol.209, p.108736, Article 108736
2023
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Solid-state electronics, 2022-08, Vol.194, p.108301, Article 108301
2022
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2024 IEEE European Solid-State Electronics Research Conference (ESSERC), 2024, p.452-455
2024
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2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015, p.4-7
2015
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Solid-state electronics, 2017-02, Vol.128, p.155-162
2017
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2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017, p.29.2.1-29.2.4
2017
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2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015, p.313-316
2015
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2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2015, p.206-209
2015
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