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Half-micrometer gate-length ion-implanted GaAs MESFET with 0.8-dB noise figure at 16 GHz
IEEE electron device letters, 1989-09, Vol.10 (9), p.409-411
1989
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60-GHz power performance of ion-implanted In(x)Ga(1-x)As/GaAs MESFET's
IEEE electron device letters, 1990-11, Vol.11, p.496-498
1990
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High-performance millimeter-wave ion-implanted GaAs MESFETs
IEEE electron device letters, 1989-02, Vol.10 (2), p.95-97
1989
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0.25-micron gate millimeter-wave ion-implanted GaAs MESFET's
IEEE electron device letters, 1989-05, Vol.10, p.186-188
1989
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Ultrahigh-frequency performance of submicrometer-gate ion-implanted GaAs MESFETs
IEEE electron device letters, 1989-05, Vol.10 (5), p.206-208
1989
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