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Design issues for lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor with higher breakdown voltage
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2013-05, Vol.13 (5), p.3260
2013
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Design of a 100 V High-side n-channel LDMOS Transistor for Breakdown Voltage Enhancement
Journal of the Korean Physical Society, 2011, 59(21), , pp.412-415
2011
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Process-induced charge trapping and junction breakdown instability in deep trench isolation for high voltage Smart Power IC process
2012 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuit (EDSSC), 2012, p.1-4
2012
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Threshold Voltage Control of Multilayered MoS2 Field‐Effect Transistors via Octadecyltrichlorosilane and their Applications to Active Matrixed Quantum Dot Displays Driven by Enhancement‐Mode Logic Gates
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2019-02, Vol.15 (7), p.e1803852-n/a
2019
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Field‐Effect Transistors: Threshold Voltage Control of Multilayered MoS 2 Field‐Effect Transistors via Octadecyltrichlorosilane and their Applications to Active Matrixed Quantum Dot Displays Driven by Enhancement‐Mode Logic Gates (Small 7/2019)
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2019-02, Vol.15 (7)
2019
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Threshold Voltage Control of Multilayered MoS 2 Field-Effect Transistors via Octadecyltrichlorosilane and their Applications to Active Matrixed Quantum Dot Displays Driven by Enhancement-Mode Logic Gates
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2019-02, Vol.15 (7), p.e1803852
2019
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Open Access
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Field‐Effect Transistors: Threshold Voltage Control of Multilayered MoS2 Field‐Effect Transistors via Octadecyltrichlorosilane and their Applications to Active Matrixed Quantum Dot Displays Driven by Enhancement‐Mode Logic Gates (Small 7/2019)
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany), 2019-02, Vol.15 (7), p.n/a
2019
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P‐232: Laser Assisted Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition for Damage‐Resistive and Reliable Thin Film Encapsulation of Organic Light Emitting Diodes
SID International Symposium Digest of technical papers, 2020-08, Vol.51 (1), p.1572-1575
2020
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