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Peculiarities of current transport in boron-doped diamond Schottky diodes with hysteresis in current–voltage characteristics
Diamond and related materials, 2024-03, Vol.143, p.110897, Article 110897
2024
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Heat-resistant barrier contacts made on the basis of TiB(x) and ZrB(x) to SiC and GaN
Materials science forum, 2009, Vol.615-617, p.565-568
2009
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Heat-Resistant Barrier Contacts Made on the Basis of TiBx and ZrBx to SiC and GaN
Materials science forum, 2009-03, Vol.615-617, p.565-568
2009
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Method of ohmic contact characterization from heat stability and contact resistance by example of contacts to SiC 6H
2012 22nd International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology", 2012, p.645-646
2012
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High Temperature Contacts to GaN and SiC Based on TiBx Nanostructure Layers
Materials Science Forum, 2005-05, Vol.483-485, p.1061-1064
2005
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Thermal stability of multilayer contacts on gallium nitride
Technical physics letters, 2005-01, Vol.31 (12), p.1078-1081
2005
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The features of temperature dependence pc(T) in ohmic contacts to n-GaN (n-AlN) with high dislocation density
2012 22nd International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology", 2012, p.97-98
2012
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Investigation of temperature dependence of contact resistance for Au-Ti-Pd2Si-n+-Si OHMIC contacts subjected to microwave irradiation
2011 21st International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology", 2011, p.669-671
2011
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Estimation of overheating of p-n junction and its effect on degradation of silicon high-power pulse impatt diodes
2010 20th International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology", 2010, p.171-173
2010
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Effect of surface roughness on the properties of ohmic contacts to GaAs
2004 24th International Conference on Microelectronics (IEEE Cat. No.04TH8716), 2004, Vol.2, p.499-502 vol.2
2004
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Ohmic and barrier contacts to SiC- and GaN-based microwave diodes
2004 14th International Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technology" (IEEE Cat. No.04EX843), 2004, p.526-527
2004
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New manufacturing technology for InP epitaxial layers and properties of Schottky diodes made on their basis
2004 14th International Crimean Conference "Microwave and Telecommunication Technology" (IEEE Cat. No.04EX843), 2004, p.528-529
2004
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Evaluation of fibrinogen self‐assembly: role of its αC region
Journal of thrombosis and haemostasis, 2010-12, Vol.8 (12), p.2727-2735
2010
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INTRODUCTION OF INTERPOLATION BY CUBIC SPLINES INTO INTELLIGENT INFORMATION SYSTEM FOR PREDICTING OF PHASE STABILITY OF SOLID SOLIDS
Information technology and computer engineering, 2022, Vol.54 (2), p.94-102
2022
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Degradation of Cross-Linked Fibrin by Matrix Metalloproteinase 3 (Stromelysin 1):  Hydrolysis of the γ Gly 404−Ala 405 Peptide Bond
Biochemistry (Easton), 1996-10, Vol.35 (40), p.13056-13063
1996
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Open Access
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Fib420, the novel fibrinogen subclass : Newborn levels are higher than adult
Blood, 1997-10, Vol.90 (7), p.2609-2614
1997
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Endogenous forms of fibrinogen in hep g2 cells
Thrombosis research, 1987-04, Vol.46 (2), p.281-293
1987
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