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Influence of Annealing in Zinc Vapor on the Microstructure and Activator Radiation of ZnSe : Fe
Crystallography reports, 2019, Vol.64 (1), p.113-118
2019
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Deep electron levels in undoped polycrystalline CdTe annealed in liquid Cd
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2011-07, Vol.45 (7), p.865-871
2011
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Characterization of the Z luminescence system in high purity CdTe
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1994-08, Vol.26 (1), p.1-5
1994
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Effect of grain boundaries on the properties of cadmium telluride grown under nonequilibrium conditions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-11, Vol.37 (11), p.1259-1263
2003
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Microphotoluminescence spectra of cadmium telluride grown under nonequilibrium conditions
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-09, Vol.37 (9), p.1042-1046
2003
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Electrical properties of fine-grained polycrystalline CdTe
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-04, Vol.38 (4), p.455-460
2004
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Microphotoluminescence of Undoped Single-Crystal Zinc Telluride Produced by Nonequilibrium Vapor-Phase Growth Techniques
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2005, Vol.39 (9), p.993
2005
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Exciton–Hole Scattering in ZnTe
Physics of the solid state, 2005, Vol.47 (10), p.1827
2005
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Special features of structural defects in undoped CdTe textured ingots produced by free growth from a gasdynamic vapor flow
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-02, Vol.37 (2), p.119-123
2003
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Effect of annealing in Zn vapor and liquid Zn on photoluminescence of high-purity polycrystalline ZnTe
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2003-03, Vol.37 (3), p.283-287
2003
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Propagation of nonequilibrium acoustic phonons in high-purity coarse-grained ZnTe
Physics of the solid state, 2003-11, Vol.45 (11), p.2039-2043
2003
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Photoluminescence of ZnTe Crystals Grown under Deviation from Thermodynamic Equilibrium
Physics of the solid state, 2005, Vol.47 (4), p.606
2005
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Nonequilibrium phonon propagation in high-purity CdTe
Physics of the solid state, 2003-01, Vol.45 (1), p.163-166
2003
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A DLTS study of deep levels in the band gap of textured stoichiometric p-CdTe polycrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2002-12, Vol.36 (12), p.1341-1346
2002
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Electrical and photoelectric properties of polycrystalline textured CdTe
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2001-10, Vol.35 (10), p.1139-1143
2001
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Nonequilibrium Acoustic Phonons in ZnTe at Liquid-Helium Temperatures: Effect of Impurities and Structural Defects on the Phonon Mean Free Path
Physics of the solid state, 2005, Vol.47 (6), p.1066
2005
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Photoconductivity of coarse-grained CdTe polycrystals
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2002-08, Vol.36 (8), p.874-877
2002
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Evolution of photoluminescence spectra of stoichiometric CdTe: Dependence on the purity of starting components
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2000-01, Vol.34 (1), p.17-20
2000
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The role of extended defects in the formation of the spectrum of electronic states in high-purity p-CdTe polycrystals with stoichiometric composition
Physics of the solid state, 2001-10, Vol.43 (10), p.1853-1859
2001
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Characterization of the Z luminescence system in high purity CdTe
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1994, Vol.26 (1), p.1-5
1994
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Reversible changes of properties of pure CdTe by annealing and aging
Semiconductor science and technology, 1994-10, Vol.9 (10), p.1805-1809
1994
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Reversible changes of properties of pure CdTe by annealing and aging
Semiconductor science and technology, 1994, Vol.9 (10), p.1805-1809
1994
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