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Reversing the pump dependence of a laser at an exceptional point
Nature communications, 2014-06, Vol.5 (1), p.4034, Article 4034
2014
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Ultrastrong light-matter coupling regime with polariton dots
Physical review letters, 2010-11, Vol.105 (19), p.196402-196402, Article 196402
2010
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Strong light-matter coupling in subwavelength metal-dielectric microcavities at terahertz frequencies
Physical review letters, 2009-05, Vol.102 (18), p.186402-186402, Article 186402
2009
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Optical properties of metal-dielectric-metal microcavities in the THz frequency range
Optics express, 2010-06, Vol.18 (13), p.13886
2010
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Ultrastrong coupling of intersubband plasmons and terahertz metamaterials
Applied physics letters, 2013-11, Vol.103 (20)
2013
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Optical properties of metal-dielectric-metal microcavities in the THz frequency range
Optics express, 2010-06, Vol.18 (13), p.13886-13907
2010
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High performance InGaAs/GaAsSb terahertz quantum cascade lasers operating up to 142 K
Applied physics letters, 2012-11, Vol.101 (21), p.211117
2012
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Photonic crystal slab quantum well infrared photodetector
Applied physics letters, 2011-01, Vol.98 (1), p.011105-011105-3
2011
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Active photonic crystal terahertz laser
Optics express, 2009-01, Vol.17 (2), p.941-946
2009
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Ge p-MOSFETs With Scaled ALD La2O3/ZrO2 Gate Dielectrics
IEEE transactions on electron devices, 2010-12, Vol.57 (12), p.3295-3302
2010
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Stabilization of a very high-k crystalline ZrO2 phase by post deposition annealing of atomic layer deposited ZrO2/La2O3 dielectrics on germanium
Applied surface science, 2010-06, Vol.256 (16), p.5031-5034
2010
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Si doping of MBE grown bulk GaAsSb on InP
Journal of crystal growth, 2011-05, Vol.323 (1), p.42-44
2011
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Quantum cascade laser utilising aluminium-free material system: InGaAs/ GaAsSb lattice-matched to InP
Electronics letters, 2009, Vol.45 (20), p.1031-1033
2009
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Schottky barrier SOI-MOSFETs with high-k La2O3/ZrO2 gate dielectrics
Microelectronic engineering, 2011-03, Vol.88 (3), p.262-267
2011
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Electrically controllable photonic molecule laser
Optics express, 2009-10, Vol.17 (22), p.20321-20326
2009
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X-ray diffuse scattering from stacking faults in Czochralski silicon
Semiconductor science and technology, 2006-03, Vol.21 (3), p.352-357
2006
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Ge p-MOSFETs With Scaled ALD \hbox \hbox/\hbox Gate Dielectrics
IEEE transactions on electron devices, 2010-12, Vol.57 (12), p.3295-3302
2010
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Terahertz photonic crystal resonators in double-metal waveguides
Optics express, 2007-09, Vol.15 (19), p.12418-12424
2007
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High resolution photocurrent imaging by atomic force microscopy on the example of single buried InAs quantum dots
Semiconductor science and technology, 2010-06, Vol.25 (6), p.065010-065010
2010
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Quantitative scanning capacitance microscopy on single subsurface InAs quantum dots
Applied physics letters, 2008-03, Vol.92 (9), p.092112-092112-3
2008
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Growth of one-dimensional III–V structures on Si nanowires and pre-treated planar Si surfaces
Journal of crystal growth, 2009-03, Vol.311 (7), p.1859-1862
2009
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Improved InGaAs/GaAsSb quantum cascade laser active region designs
Journal of modern optics, 2011-12, Vol.58 (21), p.2015-2020
2011
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Non-bandgap defect modes in the photoresponse of mid-IR photonic crystal detectors
Journal of physics. Condensed matter, 2008-11, Vol.20 (45), p.454219-454219 (6)
2008
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X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers
Journal of physics. D, Applied physics, 2005-05, Vol.38 (10A), p.A105-A110
2005
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Structural study of self-assembled Co nanoparticles
Journal of applied physics, 2003-12, Vol.94 (12), p.7743-7748
2003
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