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Critical points of Si1−yCy and Si1−x−yGexCy layers strained pseudomorphically on Si(001)
Journal of applied physics, 1996-03, Vol.79 (6), p.3016-3020
1996
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Hydrophilicity of Silicon Wafers for Direct Bonding
Physica status solidi. A, Applied research, 1991-01, Vol.123 (1), p.185-192
1991
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Impurity-mediated growth and characterization of thin pseudomorphic germanium layers in silicon
Applied physics letters, 1994-03, Vol.64 (13), p.1723-1725
1994
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Void-free silicon-wafer-bond strengthening in the 200–400 °C range
Sensors and actuators. A. Physical., 1993-03, Vol.36 (2), p.149-156
1993
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Dependence of the interface sharpness of a Ge single quantum well on molecular-beam-epitaxial growth conditions
Journal of applied physics, 1994-12, Vol.76 (12), p.8042-8047
1994
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Defects and visible photoluminescence in porous Si1−xGex
Thin solid films, 1996-04, Vol.276 (1-2), p.92-95
1996
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High yield in wafer bonding with surface structured wafers
Materials letters, 1991-11, Vol.12 (4), p.266-269
1991
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Optical Transitions in Strained Si1−yCy and Si1−x−yGexCy Layers on Si(001)
MRS proceedings, 1995, Vol.379
1995
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Raman spectroscopy of dry etched Si-Si1-xGex quantum dots
Solid state communications, 1995-05, Vol.94 (5), p.369-372
1995
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Photoluminescence and Raman spectroscopy of Si/Si1-xGex quantum dots
Journal of crystal growth, 1995-12, Vol.157 (1-4), p.280-284
1995
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Elastic strain and enhanced light emission in dry etched Si/Si1-xGex quantum dots
Journal of electronic materials, 1996-02, Vol.25 (2), p.287-291
1996
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  • BibTeX
Deposition of Thick Polysilicon Layers on Stress-reduced Silicon Wafers
Crystal research and technology (1979), 1991, Vol.26 (4), p.K73-K76
1991
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High-frequency dielectric constant of AIIB2IIIC4VI ordered-vacancy compounds
Crystal research and technology (1979), 1990-10, Vol.25 (10), p.1189-1193
1990
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  • BibTeX
Structure and visible photoluminescence of porous Si1-xGex
Physical review. B, Condensed matter, 1995-10, Vol.52 (16), p.11898-11903
1995
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  • BibTeX
Residual strain in Si-Si1−xGex quantum dots
Solid-state electronics, 1996-01, Vol.40 (1-8), p.383-386
1996
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  • BibTeX
Creation of Very Deep Denuded Zones for Defect Engineering in a High-Voltage Substrate Technology
Physica status solidi. A, Applied research, 1991-08, Vol.126 (2), p.325-333
1991
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  • BibTeX
Infrared reflectivity of ZnIn2Te4
Crystal research and technology (1979), 1990-07, Vol.25 (7), p.841-845
1990
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  • BibTeX
Infrared reflectivity study of ZnIn2Se4
Crystal research and technology (1979), 1989-06, Vol.24 (6), p.K89-K91
1989
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  • BibTeX
Hole Effective Masses in CuInSe2
physica status solidi (b), 1981-12, Vol.108 (2), p.483-487
1981
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Hydrophilicity of Silicon Wafers for Direct Bonding
Physica status solidi. A, Applied research, 1991-01, Vol.123 (1), p.185-192
1991
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  • BibTeX
Infrared lattice vibrations of CdIn2Se4
Crystal research and technology (1979), 1990-12, Vol.25 (12), p.1455-1459
1990
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  • BibTeX
Intervalence-band absorption spectra and hole effective masses in CuGaTe2
Materials letters, 1986-02, Vol.4 (2), p.57-60
1986
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Electrical and infrared optical properties of CdIn2S4 single crystals grown by chemical transport
Crystal research and technology (1979), 1989-11, Vol.24 (11), p.1165-1169
1989
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  • BibTeX
Optical properties of iron-doped CuInTe2
Materials letters, 1987-02, Vol.5 (3), p.63-66
1987
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Polarization-Dependent Infrared Reflectivity Spectra of CuInSe2
Physica status solidi. B. Basic research, 1983-07, Vol.118 (1), p.K51-K56
1983
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