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2D Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures for p‐ and n‐Type Photovoltaic Self‐Powered Gas Sensor
Advanced functional materials, 2020-10, Vol.30 (43), p.n/a
2020
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Inherently Area‐Selective Atomic Layer Deposition of SiO2 Thin Films to Confer Oxide Versus Nitride Selectivity
Advanced functional materials, 2021-08, Vol.31 (33), p.n/a
2021
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Incomplete elimination of precursor ligands during atomic layer deposition of zinc-oxide, tin-oxide, and zinc-tin-oxide
The Journal of chemical physics, 2017-02, Vol.146 (5), p.052802-052802
2017
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Efficient access to general α-tertiary amines via water-accelerated organocatalytic multicomponent allylation
Nature communications, 2022-05, Vol.13 (1), p.2702-2702, Article 2702
2022
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A Process for Topographically Selective Deposition on 3D Nanostructures by Ion Implantation
ACS nano, 2016-04, Vol.10 (4), p.4451-4458
2016
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Effects of a Nb nanopin electrode on the resistive random-access memory switching characteristics of NiO thin films
Nanoscale, 2018-07, Vol.1 (28), p.13443-13448
2018
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The effects of La substitution on ferroelectric domain structure and multiferroic properties of epitaxially grown BiFeO3 thin films
Applied physics letters, 2013-09, Vol.103 (13)
2013
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Thermal adsorption-enhanced atomic layer etching of Si3N4
Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 2018-01, Vol.36 (1)
2018
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Advanced atomic layer deposition (ALD): controlling the reaction kinetics and nucleation of metal thin films using electric-potential-assisted ALD
Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, 2023-03, Vol.11 (11), p.3743-375
2023
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Hydrogen barrier performance of sputtered La2O3 films for InGaZnO thin-film transistor
Journal of materials science, 2019-08, Vol.54 (16), p.11145-11156
2019
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Analysis of Defect Recovery in Reduced Graphene Oxide and Its Application as a Heater for Self-Healing Polymers
ACS applied materials & interfaces, 2019-05, Vol.11 (18), p.16804-16814
2019
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Growth characteristics and electrical properties of SiO2 thin films prepared using plasma-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition with an aminosilane precursor
Journal of materials science, 2016-06, Vol.51 (11), p.5082-5091
2016
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Comparative study of the growth characteristics and electrical properties of atomic-layer-deposited HfO2 films obtained from metal halide and amide precursors
Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, 2018, Vol.6 (27), p.7367-7376
2018
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A Strategy for Wafer‐Scale Crystalline MoS2 Thin Films with Controlled Morphology Using Pulsed Metal–Organic Chemical Vapor Deposition at Low Temperature
Advanced materials interfaces, 2022-02, Vol.9 (4), p.n/a
2022
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Area‐Selective Atomic Layer Deposition Using Vapor Dosing of Short‐Chain Alkanethiol Inhibitors on Metal/Dielectric Surfaces
Advanced materials interfaces, 2022-05, Vol.9 (13), p.n/a
2022
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Confinement of Ferroelectric Domain-Wall Motion at Artificially Formed Conducting-Nanofilaments in Epitaxial BiFeO3 Thin Films
ACS applied materials & interfaces, 2014-05, Vol.6 (9), p.6346-6350
2014
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Ru nanostructure fabrication using an anodic aluminum oxide nanotemplate and highly conformal Ru atomic layer deposition
Nanotechnology, 2008-01, Vol.19 (4), p.045302-045302 (8)
2008
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Area-selective atomic layer deposition of Ru thin films by chemo-selective inhibition of alkyl aldehyde molecules on nitride surfaces
Applied surface science, 2024-07, Vol.662, p.160099, Article 160099
2024
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Low-temperature Atomic Layer Deposition of TiO2, Al2O3, and ZnO Thin Films
Journal of the Korean Physical Society, 2011, 59(21), , pp.452-457
2011
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Selective nitride passivation using vapor-dosed aldehyde inhibitors for area-selective atomic layer deposition
Materials letters, 2024-07, Vol.366, p.136570, Article 136570
2024
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Area-selective atomic layer deposition of high-quality Ru thin films by chemo-selective adsorption of short alkylating agents
Materials letters, 2023-02, Vol.333, p.133574, Article 133574
2023
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Single-Layer MoS2 Field Effect Transistor with Epitaxially Grown SrTiO3 Gate Dielectric on Nb-doped SrTiO3 Substrate
Bulletin of the Korean Chemical Society, 2013, 34(9), , pp.2563-2564
2013
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Ge nanowire photodetector with high photoconductive gain epitaxially integrated on Si substrate
Applied physics letters, 2017-04, Vol.110 (17)
2017
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Thermal and plasma enhanced atomic layer deposition ruthenium and electrical characterization as a metal electrode
Microelectronic engineering, 2008, Vol.85 (1), p.39-44
2008
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Uniform color coating of multilayered TiO2/Al2O3 films by atomic layer deposition
JCT research, 2017, Vol.14 (1), p.177-183
2017
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