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Synthesis and Properties of Thin Films Formed by Vapor Deposition from Tetramethylsilane in a Radio-Frequency Inductively Coupled Plasma Discharge
Glass physics and chemistry, 2018-05, Vol.44 (3), p.174-182
2018
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CRYSTAL TEXTURE AND MECHANICAL STRESSES IN VO2 FILMS OBTAINED BY MOCVD
Journal of structural chemistry, 2022-02, Vol.63 (2), p.235-241
2022
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Synthesis and properties of dielectric (HfO2)1 − x(Sc2O3)x films
Inorganic materials, 2013-02, Vol.49 (2), p.172-178
2013
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Results of an open multicenter non-interventional study of clinical efficacy and tolerability of etoricoxib in osteoarthritis and nonspecific back pain with additional evaluation of the effect of the drug on the «central» manifestations of pain
Sovremennai͡a︡ revmatologii͡a, 2022-05, Vol.16 (2), p.34-42
2022
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Hydrogenated silicon oxycarbonitride films. Part II. Physicochemical and functional properties
Glass physics and chemistry, 2014-11, Vol.40 (6), p.643-649
2014
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Plasma Deposition and Properties of Silicon Carbonitride Films
Inorganic materials, 2005-07, Vol.41 (7), p.706-712
2005
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Preparation and Properties of Thin HfO2 Films
Inorganic materials, 2005-12, Vol.41 (12), p.1300-1304
2005
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Growth, chemical composition, and structure of thin LaxHf1 − xOy films on Si
Inorganic materials, 2014-02, Vol.50 (2), p.158-164
2014
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Growth, chemical composition, and structure of thin La sub( x )Hf sub(1 - x )O sub( y )films on Si
Inorganic materials, 2014-02, Vol.50 (2), p.158-164
2014
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Growth, chemical composition, and structure of thin La x Hf1 − x O y films on Si
Inorganic materials, 2014-02, Vol.50 (2), p.158-164
2014
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Structure of HfO2 films and binary oxides on its base
Journal of structural chemistry, 2012-07, Vol.53 (4), p.708-714
2012
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Structure and properties of films based on HfO2-Sc2O3 double oxide
Journal of structural chemistry, 2011-08, Vol.52 (4), p.743-747
2011
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Preparation of Layers of Boron Nitride From Borazole [Previously Titled: Preparation of Boron Nitride Layers From Borazole.]
Inorganic materials, 1991-09, Vol.27 (9), p.1538-1542
1991
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Properties of SiC films deposited from trimethylchlorosilane
Inorganic materials, 1999, Vol.35 (12), p.1249-1255
1999
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