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Manufacturing and Properties of Ferromagnetic Aluminum Nitride Doped with Nonmagnetic Impurities
Russian physics journal, 2022-10, Vol.65 (6), p.909-923
2022
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Formation of Dislocations in the Process of Impurity Diffusion in GaAs
Russian physics journal, 2022-04, Vol.64 (12), p.2350-2356
2022
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Aluminum Nitride Doped with Transition Metal Group Atoms as a Material for Spintronics
Russian physics journal, 2021-03, Vol.63 (11), p.2013-2024
2021
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Electrical, Structural, and Magnetic Properties of Gallium Arsenide Doped with Iron
Russian physics journal, 2018-07, Vol.61 (3), p.491-497
2018
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Fabrication and Investigation of Indium Nitride Possessing Ferromagnetic Properties
Russian physics journal, 2018-04, Vol.60 (12), p.2177-2185
2018
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Influence of temperature on the mechanism of carrier injection in light-emitting diodes based on InGaN/GaN multiple quantum wells
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013-10, Vol.47 (10), p.1382-1386
2013
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Diffusion and solubility of electrically active iron atoms in gallium arsenide
Russian physics journal, 2008-11, Vol.51 (11), p.1157-1160
2008
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Chromium diffusion in GaAs in an open system
Inorganic materials, 2008-09, Vol.44 (9), p.918-921
2008
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Switching diodes based on GaAs with deep impurity centers
Instruments and experimental techniques (New York), 2009-03, Vol.52 (2), p.212-216
2009
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Effect of the state of vacancy equilibrium on diffusion of chromium impurity in gallium arsenide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-03, Vol.42 (3), p.370-374
2008
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Physical properties of indium nitride, impurities, and defects
Russian physics journal, 2014, Vol.56 (9), p.997-1006
2014
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Effect of the state of vacancy equilibrium on diffusion of chromium impurity in gallium arsenide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2008-03, Vol.42 (3)
2008
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Gallium nitride as a material for spintronics
Russian physics journal, 2013, Vol.55 (8), p.903-909
2013
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GaAs structures for X-ray imaging detectors
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2001-06, Vol.466 (1), p.25-32
2001
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Temperature Dependence of the Quantum Efficiency of Structures with Multiple Quantum Wells InGaN / GaN Under Photo- and Electroluminescence
Russian physics journal, 2013-12, Vol.56 (7), p.757-759
2013
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Chromium diffusion in gallium arsenide
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2004-03, Vol.38 (3), p.262-265
2004
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ChemInform Abstract: Gallium Nitride as a Material for Spintronics
ChemInform, 2013-11, Vol.44 (47), p.no-no
2013
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Influence of the electron-hole equilibrium shift on transition-metal diffusion in GaAs
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2006-08, Vol.40 (8), p.869-874
2006
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Radiation hardness of semiconductor detectors for high-energy physics
Journal of physics. D, Applied physics, 1996-06, Vol.29 (6), p.1559-1563
1996
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Electrical Properties OF GaAs Doped with Iron
Russian physics journal, 2014-04, Vol.56 (12), p.1435-1438
2014
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The effect of base thickness on the reverse volt–ampere characteristic of an S-diode
Russian physics journal, 2009-02, Vol.52 (2), p.163-169
2009
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Decomposition of a supersaturated solid solution of Fe in GaAs
Inorganic materials, 2012-02, Vol.48 (2), p.93-95
2012
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Switching avalanche S-diodes based on GaAs multilayer structures
Instruments and experimental techniques (New York), 2010-07, Vol.53 (4), p.530-535
2010
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A study of the process of decomposition of supersaturated GaAs:Fe solid solution by scanning probe microscopy
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2010-08, Vol.44 (8), p.975-977
2010
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Ionizing-radiation detectors based on GaAs with deep centers
Nuclear instruments & methods in physics research. Section A, Accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment, 2000-06, Vol.448 (1), p.188-191
2000
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