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Comparison of diverse resistive switching characteristics and demonstration of transitions among them in Al-incorporated HfO2-based resistive switching memory for neuromorphic applications
RSC advances, 2020-08, Vol.10 (52), p.31342-31347
2020
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Fully solution-processed organic RRAM device with highly stable butterfly-shaped hysteresis
Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2022-08, Vol.282, p.115784, Article 115784
2022
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Role of Ti interfacial layer in the stability of TiO2 based transparent synaptic device
Current Applied Physics, 2024, 64(0), , pp.16-24
2024
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Bipolar and Complementary Resistive Switching Characteristics and Neuromorphic System Simulation in a Pt/ZnO/TiN Synaptic Device
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2021-01, Vol.11 (2), p.315
2021
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Enhancement of resistive switching behavior of organic resistive random access memory devices through UV-Ozone treatment
Materials research express, 2022-08, Vol.9 (8), p.85903
2022
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Oxygen annealing effect on resistive switching characteristics of multilayer CeO2/Al/CeO2 resistive random-access memory
Materials research express, 2020-01, Vol.7 (1), p.016307
2020
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Neuro-Transistor Based on UV-Treated Charge Trapping in MoTe2 for Artificial Synaptic Features
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2020-11, Vol.10 (12), p.2326
2020
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Memristive Switching and Density-Functional Theory Calculations in Double Nitride Insulating Layers
Micromachines (Basel), 2022-09, Vol.13 (9), p.1498
2022
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Comparison of diverse resistive switching characteristics and demonstration of transitions among them in Al-incorporated HfO 2 -based resistive switching memory for neuromorphic applications
RSC advances, 2020-08, Vol.10 (52), p.31342-31347
2020
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Multistate Resistive Switching with Self-Rectifying Behavior and Synaptic Characteristics in a Solution-processed ZnO/PTAA Bilayer Memristor
Journal of the Electrochemical Society, 2022-06, Vol.169 (6), p.63517
2022
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Effects of Gibbs free energy difference and oxygen vacancies distribution in a bilayer ZnO/ZrO2 structure for applications to bipolar resistive switching
Applied surface science, 2019-12, Vol.498, p.143833, Article 143833
2019
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Resistive switching and conductance quantization in poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)-based resistive random access memory device with printable top electrodes
Thin solid films, 2022-04, Vol.748, p.139150, Article 139150
2022
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Effect of age and gender on some blood biochemical parameters of apparently healthy small ruminants from Southern Punjab in Pakistan
Asian Pacific journal of tropical biomedicine, 2012-04, Vol.2 (4), p.304-306
2012
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Polymer-based non-volatile resistive random-access memory device fabrication with multi-level switching and negative differential resistance state
Organic electronics, 2021-09, Vol.96, p.106228, Article 106228
2021
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Demonstration of high-stable bipolar resistive switching and bio-inspired synaptic characteristics using PEDOT:PSS-based memristor devices
Organic electronics, 2023-03, Vol.114, p.106730, Article 106730
2023
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Enhanced resistive switching behaviors of organic resistive random access memory devices by adding polyethyleneimine interlayer
Organic electronics, 2024-09, Vol.132, p.107089, Article 107089
2024
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Comparison of diverse resistive switching characteristics and demonstration of transitions among them in Al-incorporated HfO-based resistive switching memory for neuromorphic applications
RSC advances, 2020-08, Vol.1 (52), p.31342-31347
2020
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Modulation of the electrical characteristics on poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)-based resistive random access memory device by the impact of top electrode materials
Thin solid films, 2022-04, Vol.748, p.139168, Article 139168
2022
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Effect of electrode materials and fabrication methods on resistive switching behavior of poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)-based resistive random access memory
Journal of the Korean Physical Society, 2024-05, Vol.84 (10), p.766-771
2024
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Asymmetric GaN/ZnO Engineered Resistive Memory Device for Electronic Synapses
ACS applied electronic materials, 2022-01, Vol.4 (1), p.297-307
2022
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Prevailing scenario of women in physics in Pakistan: A case study of Southern Punjab
Canadian journal of physics, 2017-07, Vol.95 (7), p.xxix-xxxi
2017
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Oxygen annealing effect on resistive switching characteristics of multilayer CeO 2 /Al/CeO 2 resistive random-access memory
Materials research express, 2020-01, Vol.7 (1), p.16307
2020
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Neuro-Transistor Based on UV-Treated Charge Trapping in MoTe 2 for Artificial Synaptic Features
Nanomaterials (Basel, Switzerland), 2020-11, Vol.10 (12)
2020
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Molecular identification of Toxoplasma gondii in domesticated and broiler chickens (Gallus domesticus) that possibly augment the pool of human toxoplasmosis
PloS one, 2020-04, Vol.15 (4), p.e0232026-e0232026
2020
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Soft scaffold aided plasmon-enhanced upconversion luminescence and its application in vascular endothelial growth factor (VEGF) detection
Sensors and actuators. B, Chemical, 2024-07, Vol.410, p.135657, Article 135657
2024
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