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Investigation of Fixed Oxide Charge and Fin Profile Effects on Bulk FinFET Device Characteristics
IEEE electron device letters, 2013-12, Vol.34 (12), p.1485-1487
2013
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Formation of an interfacial Zr-silicate layer between ZrO2 and Si through in situ vacuum annealing
Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (8)
2005
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Fluorine incorporation at HfO2∕SiO2 interfaces in high-k metal-oxide-semiconductor gate stacks: Local electronic structure
Applied physics letters, 2007-03, Vol.90 (11)
2007
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Improvement in High- k (hboxHfO2/hboxSiO2)Reliability by Incorporation of Fluorine
IEEE electron device letters, 2006-10, Vol.27 (10), p.821-823
2006
Open Access
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Chemical states and electronic structure of a HfO2∕Ge(001) interface
Applied physics letters, 2005-07, Vol.87 (4)
2005
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Chemical states and electrical properties of a high- k metal oxide/silicon interface with oxygen-gettering titanium-metal-overlayer
Applied physics letters, 2006-10, Vol.89 (14), p.142912-142912-3
2006
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A novel tensile Si (n) and compressive SiGe (p) dual-channel CMOS FinFET co-integration scheme for 5nm logic applications and beyond
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016, p.28.1.1-28.1.4
2016
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Novel stress-memorization-technology (SMT) for high electron mobility enhancement of gate last high-k/metal gate devices
2010 International Electron Devices Meeting, 2010, p.10.1.1-10.1.4
2010
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Random Telegraph Noise in n-type and p-type silicon nanowire transistors
2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008, p.1-4
2008
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Fluorine incorporation at Hf O 2 ∕ Si O 2 interfaces in high- k metal-oxide-semiconductor gate stacks: Local electronic structure
Applied physics letters, 2007-03, Vol.90 (11), p.112911-112911-3
2007
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  • BibTeX
Improvement in High- Reliability by Incorporation of Fluorine
IEEE electron device letters, 2006-10, Vol.27 (10), p.821
2006
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  • BibTeX
Chemical states and electronic structure of a Hf O 2 ∕ Ge ( 001 ) interface
Applied physics letters, 2005-07, Vol.87 (4), p.042902-042902-3
2005
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  • BibTeX
Formation of an interfacial Zr-silicate layer between ZrO 2 and Sithrough in situ vacuum annealing
Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (8), p.082904-082904-3
2005
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  • BibTeX
Characterization, engineering, and reliability of nano-scale high-k dielectrics and semiconductors interfaces
2007
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  • BibTeX
Characterization, engineering, and reliability of nano-scale high-k dielectrics and semiconductors interfaces
2007
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Integrated simulation of equipment and topography for plasma etching in the DRM reactor
2000 International Conference on Simulation Semiconductor Processes and Devices (Cat. No.00TH8502), 2000, p.127-130
2000
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Highly manufacturable 1 Gb NAND flash using 0.12 /spl mu/m process technology
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.2.1.1-2.1.4
2001
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